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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911193B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211459682.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片是由王文彦;刘丽设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样品。其中，该方法包括：在待刻蚀的样片的外延层上生成第一掩膜层，在所述第一掩膜层上生成倒台型的第二掩膜层；以所述第二掩膜层作为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀，使得所述第一掩膜层形成为圆柱结构；以圆柱结构的所述第一掩膜层作为掩膜，对所述样片的外延层进行刻蚀，以形成微柱，其中，在刻蚀所述外延层时，针对所述外延层的不同深度，采用不同的刻蚀参数进行刻蚀。本申请解决了难以制备出垂直性较好的微柱腔的技术问题。

本发明授权量子点单光子源微柱腔的制备方法及单光子源样片在权利要求书中公布了：1.一种量子点单光子源微柱腔的制备方法，其特征在于，包括： 在待刻蚀的样片的外延层上生成第一掩膜层，在所述第一掩膜层上生成倒台型的第二掩膜层； 以所述第二掩膜层作为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀，使得所述第一掩膜层形成为圆柱结构； 以圆柱结构的所述第一掩膜层作为掩膜，对所述样片的外延层进行刻蚀，以形成微柱，其中，在刻蚀所述外延层时，针对所述外延层的不同深度，采用不同的刻蚀参数进行刻蚀； 其中， 在对所述样片的外延层进行刻蚀之后，所述方法还包括：将样片台的温度设置为高于预设的温度；在所述预设的温度下，去除所述微柱上残留的所述第一掩膜层，并去除所述微柱侧壁上沉积的副产物； 去除所述微柱上残留的所述第一掩膜层包括：设置以下掩膜去除参数：样片台的温度设置为60至80℃之间，所述样片的背面氦气吹扫的压力设定为5至15托之间，工艺压强设置范围为15至25毫托，三氟甲烷和氧气的流量比设置在1：5至1：3之间,上电极功率设定在800至1000瓦之间，下电极功率设定为0瓦；基于所设置的掩膜去除参数，来去除所述微柱上残留的所述第一掩膜层； 去除所述微柱侧壁上沉积的副产物包括：设置以下副产物去除参数：样片台的温度设置为60至80℃之间，将所述样片的背面氦气吹扫的压力设定为5至15托之间，工艺压强设置范围为15至25毫托，三氟甲烷流量设置为0sccm，氧气的流量设置为去除所述微柱上残留的所述第一掩膜层时三氟甲烷和氧气的流量的总和，上电极功率设定在800至1000瓦之间，下电极功率设定为0瓦；基于所设置的副产物去除参数，来去除所述微柱侧壁上沉积的副产物。

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