绍兴中芯集成电路制造股份有限公司任杨波获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116119607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166709.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS器件及其制造方法是由任杨波;王红海设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，制造方法包括：在衬底上形成介质层，在介质层上形成图案化的第一导电层；在介质层和第一导电层上形成隔离层，隔离层覆盖第一导电层；在隔离层上形成阻挡层，阻挡层覆盖隔离层；在隔离层和阻挡层内形成第一沟槽，第一沟槽露出部分第一导电层；在阻挡层和露出的第一导电层上形成牺牲层，牺牲层覆盖阻挡层且填充第一沟槽；在牺牲层内形成第二沟槽，第二沟槽露出部分第一导电层；在牺牲层和露出的第一导电层上形成第二导电层，第二导电层覆盖牺牲层且填充第二沟槽；在第二导电层内形成第三沟槽；释放牺牲层。本申请的制造方法能够提高MEMS器件的结构稳定性。
本发明授权MEMS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成介质层，在所述介质层上形成图案化的第一导电层； 在所述介质层和所述第一导电层上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一导电层； 在所述隔离层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述隔离层； 在所述隔离层和所述阻挡层内形成第一沟槽，所述第一沟槽露出部分所述第一导电层； 在所述阻挡层和露出的所述第一导电层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述阻挡层且填充所述第一沟槽； 在所述第一导电层上的所述牺牲层内形成第二沟槽，所述第二沟槽部分地位于所述第一沟槽内，所述第二沟槽露出部分所述第一导电层； 在所述牺牲层和露出的所述第一导电层上形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述牺牲层且填充所述第二沟槽； 在所述第二导电层内形成第三沟槽所述第三沟槽露出部分所述牺牲层； 释放所述牺牲层。
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