芯盟科技有限公司宋倩倩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利芯片载体、其形成方法、晶圆键合结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310468062.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权芯片载体、其形成方法、晶圆键合结构的形成方法是由宋倩倩;洪齐元设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片载体、其形成方法、晶圆键合结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种芯片载体、芯片载体的形成方法以及晶圆键合结构的形成方法，其中，芯片载体的形成方法包括：提供初始基板；在所述初始基板内形成若干初始凹槽，形成基板；在所述初始凹槽侧壁表面形成侧墙结构，在所述初始凹槽内形成第一开口，所述侧墙结构暴露出所述基板表面，所述侧墙结构底部的厚度大于所述侧墙结构顶部的厚度，各所述第一开口的内表面带有第一极性的电荷，芯片结构的第一面带有第二极性的电荷，各所述第一开口用于固定芯片结构。所述芯片载体、芯片载体的形成方法、晶圆键合结构的形成方法，提高了芯片与晶圆键合过程中的对准精度，降低了对准难度，提升了键合集成工艺的效率。
本发明授权芯片载体、其形成方法、晶圆键合结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片载体的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始基板； 在所述初始基板内形成若干初始凹槽，形成基板； 在所述初始凹槽侧壁表面形成侧墙结构，在所述初始凹槽内形成第一开口，所述侧墙结构暴露出所述基板表面，所述侧墙结构底部的厚度大于所述侧墙结构顶部的厚度，各所述第一开口用于固定芯片结构； 向各所述第一开口的内表面施加第一极性的电荷使其带有第一极性的电荷； 所述侧墙结构的形成方法包括：在所述初始凹槽底部表面、侧壁表面以及基板顶部表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述基板顶部表面以及初始凹槽底部表面，在所述初始凹槽侧壁表面形成侧墙结构； 各所述第一开口的底部尺寸与各芯片结构的尺寸相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯盟科技有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励