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龙图腾网获悉张夕勇申请的专利从芯片通讯端产生电源的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116318066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310260126.1，技术领域涉及：H03K3/57；该发明授权从芯片通讯端产生电源的电路是由张夕勇设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本从芯片通讯端产生电源的电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种从芯片通讯端产生电源的电路，包括若干电子元件和储能电容CAP，储能电容CAP的一端连接至芯片电源端VCC，另一端接地；电子元件包括二极管D1、PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、电压比较器C1和两输入与门A1，二极管D1的正极、PMOS晶体管M1的漏极、PMOS晶体管M2的漏极以及电压比较器C1的负输入端连接到芯片通讯端DATA；二极管D1的负极、PMOS晶体管M1的源极及其衬底、PMOS晶体管M2的源极及其衬底以及电压比较器C1的正输入端连接到芯片电源端VCC；PMOS晶体管M1的栅极、两输入与门A1的一个输入端与电压比较器C1的输出端连接，两输入与门A1的另一个输入端为增强驱动使能信号端OD，两输入与门A1的输出端与PMOS晶体管M2的栅极连接。其有益之处是，减少了电源引脚这个芯片端口及其供电电路，大大节约了芯片面积与成本。

本发明授权从芯片通讯端产生电源的电路在权利要求书中公布了：1.一种从芯片通讯端产生电源的电路，其特征在于，包括内置于芯片的若干电子元件和内置于芯片或外挂于芯片的储能电容CAP； 所述储能电容CAP的一端连接至所述芯片电源端VCC，另一端接地； 所述电子元件包括二极管D1、PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、电压比较器C1和两输入与门A1； 所述二极管D1的正极、所述PMOS晶体管M1的漏极、所述PMOS晶体管M2的漏极以及所述电压比较器C1的负输入端连接到芯片通讯端DATA； 所述二极管D1的负极、所述PMOS晶体管M1的源极及其衬底、所述PMOS晶体管M2的源极及其衬底以及所述电压比较器C1的正输入端连接到芯片电源端VCC； 所述PMOS晶体管M1的栅极、所述两输入与门A1的一个输入端与所述电压比较器C1的输出端连接，所述两输入与门A1的另一个输入端为增强驱动使能信号端OD，所述两输入与门A1的输出端与所述PMOS晶体管M2的栅极连接； 所述电子元件均设有电源输入端口，所述电源输入端口均与所述芯片电源端VCC连接并由所述芯片电源端VCC供电。

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