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龙图腾网获悉艾感科技(广东)有限公司申请的专利一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116429859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310374889.9，技术领域涉及：G01N27/403；该发明授权一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法是由周清峰;沈国震;丘勇才;朱广森设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法，传感器系统包括用于沉积敏感材料的基底、用于检测电学变化的检测电极以及用于提供支撑的绝缘层，敏感材料沉积至基底以在基底上定义至少两个沉积区域，其中，沉积至检测电极与绝缘层的部分形成牺牲区域以降低多组分气体检测中的干扰，牺牲区域和检测区域基于至少包括温度和反应位点数目的不同吸附能力参数差异以对其相应气体进行选择性吸附；系统的制造方法，包括以下步骤：形成基片，基片配置有用于检测的检测电极、沉积敏感材料的基底和用于支撑的绝缘层，在基片上形成感测层，敏感材料沉积至基底形成感测层的过程中以在基底上定义至少两个沉积区域。

本发明授权一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微结构气体传感器系统，包括：依次设置的用于沉积敏感材料的基底1、用于检测电学变化的检测电极2以及用于提供支撑的绝缘层3，其特征在于， 所述基底1为多孔基底，所述基底1具有形成第二结构200的壁部以及形成第一结构100的通孔，沉积至基底1的敏感材料包括第一结构100和第二结构200，通过处理所述基底1壁部的部分实体的方式以形成第二结构200，使得所述第二结构200具有更多的反应位点，并且所述第一结构100在所述检测电极2和绝缘层3上沉积，并且在相同沉积步骤中形成的所述第一结构100基于其沉积的部位的限制具有更少的反应位点， 所述敏感材料沉积至所述基底1以在所述基底1上定义至少两个沉积区域，其中，沉积至所述检测电极2与绝缘层3的部分形成用于吸附干扰气体的牺牲区域以降低多组分气体检测中的干扰， 沉积至所述基底1壁部的部分形成检测区域，牺牲区域和检测区域位于同一通孔中，所述牺牲区域和检测区域基于温度和反应位点数目的不同吸附能力参数差异以对相应气体进行选择性吸附。

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