华为技术有限公司张露获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利芯片、制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117012823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210474797.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权芯片、制备方法及电子设备是由张露;温雅楠;吴俊慷;黄元琪;赵智彪;许俊豪设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片、制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备。其中，在衬底上设置了至少一个沟道结构、栅极、栅氧化层以及源漏电极层。其中，通过源漏电极层形成晶体管的源极和漏极。栅氧化层实现栅极与沟道层的沟道区之间的隔离。栅极环绕沟道层的沟道区，实现栅极结构包裹沟道。并去除沟道区周围的牺牲层，保留其余区域的牺牲层，以及使掺杂离子在牺牲层中的含量不大于5％，使牺牲层中掺杂后的半导体材料和沟道层中未掺杂的半导体材料，可以看作是同一种半导体材料的不同掺杂浓度，使相邻的牺牲层和沟道层之间可以形成同质结，使相邻的沟道层和牺牲层之间的应力降低，降低产生位错和翘曲的可能性。
本发明授权芯片、制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括： 衬底； 晶体管，设置于所述衬底上； 其中，所述晶体管包括： 位于所述衬底上的至少一个沟道结构；其中，所述沟道结构包括层叠设置于所述衬底上的牺牲层和沟道层；所述沟道层的沟道区在所述衬底的正投影与所述牺牲层在所述衬底的正投影不交叠，且所述沟道层的第一区和第二区在所述衬底的正投影与所述牺牲层在所述衬底的正投影交叠；所述牺牲层包括半导体材料和掺杂离子，且所述牺牲层中的半导体材料和所述沟道层中的半导体材料相同，且所述掺杂离子在所述牺牲层中的含量不大于5%； 位于所述衬底上的栅极；其中，所述栅极环绕所述沟道层的所述沟道区； 位于所述栅极与所述沟道层之间的栅氧化层； 位于所述衬底上的源漏电极层；其中，所述源漏电极层在所述衬底的正投影覆盖所述沟道层的第一区和第二区在所述衬底的正投影，且所述源漏电极层在所述衬底的正投影与所述栅极在所述衬底的正投影不交叠。
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