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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种宽带/高隔离度/低交叉极化的双极化天线阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117913546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410084344.9，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权一种宽带/高隔离度/低交叉极化的双极化天线阵列是由马自龙;耿杨力设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带/高隔离度/低交叉极化的双极化天线阵列在说明书摘要公布了：本发明公开的一种宽带高隔离度低交叉极化的双极化天线阵列，包括五层介质板，每层介质板的两侧均设置有金属层，第一金属层和第二金属层设置有两微带线功分器且两微带线功分器的微带线末端正交；第三金属层上设置有十字形耦合缝隙，两微带线功分器的末端均横跨十字形耦合缝隙；第三介质板上设置有SIW腔且每个十字形耦合缝隙相应位于SIW腔内；第四金属层上设置有相互正交x极化耦合缝隙和y极化耦合缝隙；第四介质板上设置有矩形腔和直馈金属通孔；第五金属层上还设置有x极化馈线和与之正交的y极化馈线；第五介质板上设置有矩形腔和金属通孔；第六金属层上设置有十字形微带线结构。本发明提高了隔离度、降低了交叉极化且具备很宽的工作带宽。

本发明授权一种宽带/高隔离度/低交叉极化的双极化天线阵列在权利要求书中公布了：1.一种双极化天线阵列，其特征在于，包括五层介质板，每层介质板的两侧均设置有金属层，将五层介质板从下至上依次定义为第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板和第五介质板，从第一介质板往第五介质板方向将金属层依次定义为第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层和第六金属层，其中， 第一金属层和第二金属层分别设置有由不同端口激励的两微带线功分器且两微带线功分器的微带线末端正交； 第三金属层上设置有多个十字形耦合缝隙，两微带线功分器的末端均横跨十字形耦合缝隙； 第三介质板上设置有与十字形耦合缝隙数量相等的SIW腔且每个十字形耦合缝隙相应位于SIW腔内； 第四金属层上相应于每个SIW腔的内边缘位置上均设置有相互正交x极化耦合缝隙和y极化耦合缝隙； 第四介质板上设置有金属通孔围成的腔体和直馈金属通孔，且各SIW腔位于腔体内； 第五金属层上还设置有x极化馈线和与之正交的y极化馈线，且x极化馈线横跨x极化耦合缝隙，y极化馈线横跨y极化耦合缝隙； 第五介质板上设置有用于共同连接第五金属层、第六金属层的腔体和金属通孔，且各SIW腔位于腔体内； 第六金属层上且相应于每个SIW腔的位置处均设置有十字形微带线结构； 其中，通过y极化耦合缝隙和x极化耦合缝隙形成耦合馈电，通过直馈金属通孔、x极化馈线、y极化馈线和第五介质板上的金属通孔形成直馈馈电。

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