福州大学林振宇获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118583838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410676277.X，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法是由林振宇;谢志杰;邱彬;林翠英;王建;罗芳;林悦设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料化学和拉曼领域，具体涉及一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法。主要以二维Zn‑OHPTP纳米材料为表面增强拉曼散射活性基底，以SiO2晶体为载体，制备出一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底材料。制备简单快速，成本低廉，且具有显著的拉曼增强信号。
本发明授权一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于： 包括以下步骤： 1制备二维导电金属有机框架Zn-OHPTP纳米材料：将二水乙酸锌和制备的八羟基四苯基苯OHPTP溶解在去离子水中，然后搅拌； 2将1中得到的溶液超声处理，然后加入N,N-二甲基甲酰胺溶液DMF； 3将2中所得的溶液样品超声处理，然后置于烘箱中加热反应； 4将3中所得的粉末样品离心得到Zn-OHPTP纳米材料，并用去离子水和丙酮洗涤； 5SiO2晶片的准备：将市售SiO2晶片在超纯水中超声，得到表面清洁的SiO2晶片； 6表面增强拉曼散射活性基底制备：在SiO2晶片表面滴涂Zn-OHPTP分散液，静置烘干，即得到基于二维导电金属有机框架的表面增强拉曼散射活性基底。
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