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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411164185.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构是由陈文锁;黄嘉伟文;俞齐声;朱坤峰;李剑设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构，方法主要步骤为：在所述多晶硅覆盖层表面覆盖掩膜层；在所述掩膜层中形成通槽；蚀刻掩膜层通槽下方的多晶硅覆盖层及栅介质薄层；进行第二导电类型杂质深注入，使得第二导电类型杂质通过形成的通槽部分注入到轻掺杂第一导电类型漂移区内部，而在覆盖掩膜层部分被阻挡；器件结构包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型漂移层、沟槽栅介质层、多晶硅填充层、栅介质薄层、多晶硅覆盖层、第二导电类型体区和上电极层。本发明在保持肖特基接触超势垒整流器良好正向特性的情况下，使得器件的势垒电容降低，具有更好的反向恢复性能。

本发明授权一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法及其器件结构在权利要求书中公布了：1.一种分裂栅沟槽肖特基接触超势垒整流器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在重掺杂第一导电类型衬底20上覆盖轻掺杂第一导电类型漂移区30； 2在轻掺杂第一导电类型漂移区30上形成沟槽； 3在步骤2中形成的沟槽中覆盖介质层，形成U型沟槽栅介质层40； 4淀积多晶硅，并对该多晶硅进行重掺杂，再进行反向刻蚀去除步骤3中形成的U型沟槽栅介质层40外多余的多晶硅，形成多晶硅填充层50； 5在步骤4形成的超势垒整流器样品表面进行热氧生长，形成栅介质薄层60，然后在栅介质薄层60之上通过淀积形成多晶硅覆盖层70；对所述多晶硅覆盖层70进行重掺杂； 6在所述多晶硅覆盖层70表面覆盖掩膜层II32；在所述掩膜层II32中形成通槽；蚀刻掩膜层II32通槽下方的多晶硅覆盖层70及栅介质薄层60； 7进行第二导电类型杂质深注入，使得第二导电类型杂质通过步骤6形成的通槽部分注入到轻掺杂第一导电类型漂移区30内部，而在覆盖掩膜层II32部分被阻挡；去除掩膜层II32； 8形成第二导电类型体区80； 9淀积金属层，形成上电极层90，并使上电极层90与第二导电类型体区80形成肖特基接触，上电极层90与多晶硅覆盖层70形成欧姆接触； 10在重掺杂第一导电类型衬底20下表面淀积下电极层10，并形成欧姆接触。

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