深圳市昇维旭技术有限公司徐正弘获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411336417.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由徐正弘设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；栅极结构，位于衬底上；沟道柱，位于衬底上、且沿纵向贯穿栅极结构；侧墙结构，沿纵向延伸位于沟道柱侧壁与栅极结构之间；补偿层，填充于侧墙结构底部位置处，沟道柱与栅极结构之间的空隙中。本发明有利于提高半导体结构的工作性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 栅极结构，位于所述衬底上； 沟道柱，位于所述衬底上、且沿纵向贯穿所述栅极结构； 侧墙结构，沿所述纵向延伸位于所述沟道柱侧壁与所述栅极结构之间； 补偿层，填充于所述侧墙结构底部位置处，所述沟道柱与所述栅极结构之间的空隙中。
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