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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411554684.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法是由张陈斌;张超;葛青涛;欧阳军晨;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法，首先，向磁控溅射腔体中通入第一惰性气体和卤素气体，在靶材表面形成金属卤化物膜层；其次，向磁控溅射腔体中通入第二惰性气体，将所述金属卤化物膜层去除，获得粗糙的靶材表面；最后，溅射金属薄膜。本发明实施例通过在靶材表面溅射金属卤化物膜层、再将金属卤化物膜层去除，使得靶材表面具有一定的粗糙度，进而使得靶材表面溅射出的原子仍以靶材表面法线为轴，呈对称分布发出。这使溅射原子远离靶面后以与晶圆表面呈较大入射角迁移至微孔或沟槽内，从而提升台阶覆盖率，本发明实施例无需额外增设特殊磁控器、设置载台射频功率以及增加准直器结构等，大大降低工艺复杂度、降低成本。

本发明授权一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种提升台阶覆盖率的物理气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，预溅射：选用靶材，调整所述靶材与晶圆之间的距离，设置基底温度为预设温度，腔体真空度为预设真空度，在预设功率下，预溅射靶材； 步骤S2，制备金属卤化物膜层：向磁控溅射腔体中通入第一惰性气体，并对靶材施加第一射频功率P1，同时向腔体内通入卤素气体，溅射第一时间T1，在靶材表面形成金属卤化物膜层； 所述第一惰性气体包括氦气、氖气中的至少一种； 所述卤素气体包括氯气、溴气中的至少一种； 步骤S3，去除金属卤化物膜层：向磁控溅射腔体中通入第二惰性气体，并对靶材施加第二射频功率P2，溅射第二时间T2，所述第二射频功率P2为1000～10000W，所述第二时间T2为5～10min，以除去所述金属卤化物膜层，得到粗糙的靶材表面， 所述第二惰性气体的相对原子质量大于所述第一惰性气体的相对原子质量； 所述第二惰性气体包括氙气、氪气中的至少一种； 步骤S4，溅射金属薄膜：向磁控溅射腔体中通入第三惰性气体，并对靶材施加第三射频功率P3，溅射第三时间T3，所述第三射频功率P3为3000～10000W，所述第三时间T3为1～5min，所述第三惰性气体的相对原子质量大于所述第一惰性气体的相对原子质量，第二惰性气体的相对原子质量大于或等于所述第三惰性气体的相对原子质量； 所述第三惰性气体包括氩气。

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