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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利金属薄膜电阻及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610171.6，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权金属薄膜电阻及其制备方法是由林昭宏;黄仁德设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属薄膜电阻及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属薄膜电阻及其制备方法，通过将硅基高阻电阻工艺中的原始HiR掩膜图案通过布尔运算NOT掉原始SAB掩膜图案，作为后续CT接触孔接触的区域，然后将硅基高阻电阻工艺中的原始SAB掩膜图案通过布尔运算定义出金属薄膜电阻掩膜图案，接着形成覆盖在图形化的低阻金属层上的金属薄膜电阻。实现在硅基高阻电阻工艺向金属薄膜电阻工艺端口迁移过程中，无需改变硅基高阻电阻工艺中的掩膜图案，仅通过将硅基高阻电阻工艺中的掩膜图案进行所需布尔运算即可实现两个端口间电阻长度定义方式的一致性；避免通过改变后端CT工艺的布局，使两个端口的设计电阻长度具有一致的定义，从而避免改变后端CT工艺的布局带来的复杂运算以及CT与MET1接触不良的风险。

本发明授权金属薄膜电阻及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供衬底，并于所述衬底上依次形成低阻金属层及第一硬掩膜层； 基于修改的高电阻金属掩膜对所述第一硬掩膜层进行刻蚀图形化，得到图形化的第一硬掩膜层，所述图形化的第一硬掩膜层所在区域定义出后续CT接触孔形成区域；其中，所述修改的高电阻金属掩膜图案通过将原始高电阻金属掩膜图案NOT原始SAB掩膜图案的布尔运算得到； 基于所述图形化的第一硬掩膜层刻蚀所述低阻金属层，形成图形化的低阻金属层并去除所述图形化的第一硬掩膜层； 于所述衬底及所述图形化的低阻金属层上依次形成高阻金属层及第二硬掩膜层； 基于修改的SAB掩膜对所述第二硬掩膜层进行刻蚀图形化，得到图形化的第二硬掩膜层，所述图形化的第二硬掩膜层所在区域定义出后续金属薄膜电阻形成区域；其中，所述修改的SAB掩膜图案通过将所述原始SAB掩膜图案进行布尔运算得到金属薄膜电阻掩膜图案得到； 基于所述图形化的第二硬掩膜层刻蚀所述高阻金属层，形成所述金属薄膜电阻； 于所述图形化的低阻金属层上形成贯通所述金属薄膜电阻及所述图形化的第二硬掩膜层的所述CT接触孔。

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