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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411930622.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构是由孙轲;李娟设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构，制备方法包括：在第一晶圆一侧表面形成间隔排列的第一金属层；在第一金属层表面形成第一钝化层；在第二晶圆一侧表面形成间隔排列的第二金属层；在第二金属层表面形成第二钝化层；在第二金属层侧部的第二晶圆表面形成聚合物层；聚合物层的厚度大于或等于第一金属层与第二金属层的总厚度；将第一晶圆与第二晶圆热压键合在一起；第一金属层与第二金属层通过第一钝化层和第二钝化层键合连接成一体结构；第一金属层侧部的第一晶圆表面与聚合物层对应接触并键合连接在一起。与相关技术相比，本发明可以提高混合键合界面强度以及混合键合结构的可靠性和稳定性。

本发明授权一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构在权利要求书中公布了：1.一种混合键合结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆； 在所述第一晶圆一侧表面形成若干个间隔排列的第一金属层； 在所述第一金属层背向所述第一晶圆的一侧表面形成第一钝化层；所述第一钝化层的材料为多晶结构； 提供第二晶圆； 在所述第二晶圆一侧表面形成若干个间隔排列的第二金属层； 在所述第二金属层背向所述第二晶圆的一侧表面形成第二钝化层；所述第二钝化层的材料为多晶结构； 在所述第二金属层侧部的所述第二晶圆表面形成聚合物层；所述聚合物层的厚度大于或者等于所述第一金属层、所述第一钝化层、所述第二钝化层与所述第二金属层的总厚度； 将所述第一晶圆与所述第二晶圆热压键合在一起，形成混合键合结构；所述第一金属层与所述第二金属层通过所述第一钝化层和所述第二钝化层键合连接成一体结构；所述第一钝化层和所述第二钝化层对应接触并键合连接在一起；所述第一金属层侧部的所述第一晶圆表面与所述聚合物层对应接触并键合连接在一起。

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