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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411861760.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构及其制造方法是由杜婉婷;张军亮;徐西昌设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有双场阻止层的RC‑IGBT结构及其制造方法，旨在解决传统RC‑IGBT导通时存在的电压折回现象及器件耐压降低的问题。该结构在集电极侧具有p浮置区的基础上，引入了两层场阻止层，即nFS1层和nFS2层。nFS1层可压缩电场，防止电场扩展至n+短路区，保障器件耐压；nFS2层则通过调节掺杂浓度调控背面空穴注入率。此外，采用局部氧化物进行隔离，降低了工艺难度。本发明的RC‑IGBT结构不仅可在更小的元胞尺寸下抑制电压折回现象，还显著提升了功率芯片性能和可靠性，具有更高的耐压能力和更好的动态特性，对推动电力电子技术的发展和应用具有重要意义。

本发明授权一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤为 提供衬底为提供一具有第二导电类型的半导体衬底，作为RC-IGBT结构的漂移区； 形成第一场阻止层为在所述漂移区的第一表面形成第一场阻止层，所述第一场阻止层具有第二导电类型，且掺杂浓度高于漂移区； 形成第一沟槽和第二沟槽为在所述漂移区的第一表面上形成至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽穿透第一场阻止层并延伸至漂移区内； 形成沟槽栅为在所述第一沟槽内形成第一沟槽栅，在所述第二沟槽内形成第二沟槽栅； 形成第二场阻止层为在所述漂移区的第二表面形成第二场阻止层，第二表面与第一表面相对，所述第二场阻止层具有第二导电类型，且掺杂浓度高于漂移区；所述第二场阻止层与第一场阻止层共同作用，形成双场阻止层结构，以有效阻挡电场扩展，提高器件耐压性能； 形成基区、发射区及阳极区为在所述第一场阻止层上形成具有第一导电类型的基区，在所述基区上形成具有第二导电类型的发射区，并使发射区与第一沟槽栅接触；同时，部分或全部基区作为阳极区； 形成柱区为在所述第一场阻止层上形成具有第二导电类型的柱区，所述柱区的掺杂浓度小于发射区，且与阳极区形成肖特基接触； 形成电极为在所述RC-IGBT结构的正面形成第一电极，所述第一电极分别与发射区、柱区及基区电连接；在所述RC-IGBT结构的背面形成第二电极，所述第二电极与漂移区及第二场阻止层电连接。

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