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龙图腾网获悉江门市领昱电子材料有限公司申请的专利一种光固化有机硅离型膜的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119798753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411997430.5，技术领域涉及：C08J7/04；该发明授权一种光固化有机硅离型膜的制备工艺是由胡凯琳设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光固化有机硅离型膜的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及离型膜技术领域，具体涉及一种光固化有机硅离型膜的制备工艺，其包括以下步骤：S1、将天然有机硅粉、甲基丙烯酸‑2‑羟基乙酯、流平剂、有机光催化剂、引发剂混合并搅拌均匀，得到有机硅离型剂；S2、将步骤S1制备的有机硅离型剂以一定厚度均匀地涂布在PET基材上，在可见光的照射下固化即得离型膜。本发明中甲基丙烯酸‑2‑羟基乙酯HEMA含有活性的双键和羟基官能团，多孔有机硅材料表面有硅羟基Si‑OH，能够利用HEMA的双键进行自由基聚合反应，同时利用其羟基与有机硅表面的羟基进行缩合反应来实现交联。这些化学键在酸碱环境下不容易断裂，从而保证了材料的结构完整性。

本发明授权一种光固化有机硅离型膜的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种光固化有机硅离型膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、将天然多孔有机硅粉、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、流平剂、有机光催化剂、引发剂混合并搅拌均匀，得到有机硅离型剂； S2、将步骤S1制备的有机硅离型剂以一定厚度均匀地涂布在PET基材上，在可见光的照射下固化即得离型膜； 所述天然多孔有机硅粉、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、流平剂、有机光催化剂、引发剂的质量比为50-70：10-15：0-2：0.1-0.15：0.3-0.5； 所述天然多孔有机硅粉的制备方法包括以下步骤： S1、以重量份计，将狗尾巴草40-50份、纤维素酶1-2份、活菌浓度为3-5×1011CFUg的枯草芽孢杆菌1-3份、硝酸铵4-6份制备成混合料； S2、混合料在32-36℃发酵罐中进行发酵5-6小时，制成发酵混合料，在发酵混合料中加入30-35份浓度20-25%的碳酸钠溶液，浸泡5-8小时，控制温度85-95℃，浸泡结束后，过滤，获得混合提取液； S3、混合提取液在惰性气体、无氧环境的烧结炉中进行煅烧，复合，采用三段式烧结，制得天然有机硅粉； S4、将γ-氨丙基三乙氧基硅烷与天然有机硅粉、浓度95%乙醇溶液按照质量比为10：3-5：8-11混合，在85-100℃和反应时间3-4小时下，γ-氨丙基三乙氧基硅烷的乙氧基与硅粉表面的羟基发生水解缩合反应，即得天然多孔有机硅粉。

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