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中国科学院电工研究所李磊获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利突破低场磁共振成像质量极限的重建方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119828056B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411928055.9,技术领域涉及:G01R33/56;该发明授权突破低场磁共振成像质量极限的重建方法是由李磊;杨文晖;魏树峰;王慧贤;王铮;王秋良设计研发完成,并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

突破低场磁共振成像质量极限的重建方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种突破低场磁共振成像质量极限的重建方法,所述方法包括如下步骤:低场数据集的采集和构建;高场数据集的采集和构建;分别训练从低场、1~N次激发的低分辨率图像到低场、N次激发的高分辨率图像的基础超分辨率模型;对比不同激发次数对基础超分辨率模型性能的影响;训练从低场、N次激发的高分辨率图像到高场、超高分辨率图像的跨场超分辨率模型;级联基础超分辨率模型和跨场超分辨率模型,构建增强型两级跨场超分辨率模型;通过增强型两级跨场超分辨率模型,从低场、低激发次数、低分辨率图像中重建高场、超高分辨率图像。本发明使得低场磁共振扫描仪能够在较短扫描时间内实现突破磁场强度约束的高质量成像。

本发明授权突破低场磁共振成像质量极限的重建方法在权利要求书中公布了:1.一种突破低场磁共振成像质量极限的重建方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1:低场数据集的采集和构建,包括, 步骤1.1:在低场条件下,分别采集目标对象被1~N次激发的低分辨率图像,N≥4,N为自然数; 步骤1.2:在低场条件下,采集目标对象被N次激发的高分辨率图像; 步骤1.3:分别构建低场1~N次激发的低分辨率图像和低场N次激发的高分辨率图像的数据对; 步骤2:高场数据集的采集和构建,包括, 步骤2.1:在高场条件下,采集目标对象被1次激发的超高分辨率图像; 步骤2.2:对所述超高分辨率图像进行退化处理,得到高场退化图像; 步骤2.3:构建高场退化图像和所述超高分辨率图像的数据对; 步骤3:分别训练从低场、1~N激发的低分辨率图像到低场、N次激发的高分辨率图像的基础超分辨率模型; 步骤4:对比不同激发次数对基础超分辨率模型性能的影响,包括, 步骤4.1:对比在低场条件下,目标对象被1~N次激发的低分辨率图像的基础超分辨率结果与在低场条件下,目标对象被N次激发的高分辨率图像之间图像质量差异; 步骤4.2:通过视觉效果的评估得到能够通过基础超分辨率模型获得接近所述高分辨率图像质量的所述低分辨率图像的最少被激发次数; 步骤5:训练从低场、N次激发的高分辨率图像到高场、超高分辨率图像的跨场超分辨率模型; 步骤6:级联基础超分辨率模型和跨场超分辨率模型,构建增强型两级跨场超分辨率模型; 步骤7:通过增强型两级跨场超分辨率模型,从低场、低激发次数、低分辨率图像中重建高场、超高分辨率图像,所述低激发次数≤N-1; 步骤8:结束。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院电工研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村北二条6号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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