中国科学院上海技术物理研究所王林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874503.1，技术领域涉及：H03D7/16；该发明授权一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用是由王林;潘晓凯;胡震;陈效双;胡伟达;陆卫设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于太赫兹光电探测技术领域，提供了一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用。本发明的高频太赫兹外差混频器包括基底层、吸收层和介质保护层，基底层和吸收层层叠设置；吸收层包括分散设置的端金属电极层和钽镍碲层。钽镍碲具有非线性霍尔效应，由于非线性霍尔效应可以克服热电压阈值和电子转换时间的限制，并且这种机制理论上不受传统混频器截止频率的影响。本发明利用钽镍碲的表面态对称性破缺产生的非线性霍尔效应，构建了一种宽带频率范围内的太赫兹外差混频器，本发明的外差混频器能够对射频信号和本振信号实现宽带频率范围内的基波混频，并拥有高次谐波混频的能力；同时还可用于低频信号的高阶倍频。
本发明授权一种高频太赫兹外差混频器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高频太赫兹外差混频器，包括基底层、吸收层和介质保护层；所述基底层和吸收层层叠设置； 所述基底层包括层叠设置的本征高阻硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述吸收层接触； 所述吸收层包括分散设置的端金属电极层和钽镍碲层；所述端金属电极层的个数为4个，4个端金属电极层按钽镍碲层的横向和纵向对称分布，所述钽镍碲层位于4个端金属电极层形成的区域的中心，所述钽镍碲层与4个端金属电极层接触； 所述介质保护层包裹所述钽镍碲层。
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