河海大学倪凌峰获国家专利权
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龙图腾网获悉河海大学申请的专利一种作为电芬顿阴极的PVDF/rGO/Fe(Ⅱ)复合膜、制备方法、应用、膜滤反应器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119838445B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510016513.X，技术领域涉及：B01D71/34；该发明授权一种作为电芬顿阴极的PVDF/rGO/Fe(Ⅱ)复合膜、制备方法、应用、膜滤反应器是由倪凌峰;王沛芳设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种作为电芬顿阴极的PVDF/rGO/Fe(Ⅱ)复合膜、制备方法、应用、膜滤反应器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种作为电芬顿阴极的PVDFrGOFeⅡ复合膜、制备方法、应用、膜滤反应器。所述制备方法包括首先采用相转化法制备PVDF膜，通过抽滤法将还原氧化石墨烯覆盖于PVDF膜表面，得到PVDFrGO双层膜；然后，将菱铁矿粉末分散于有机溶剂，加入致孔剂及PVDF，加热搅拌制成均匀铸膜液；最后，将铸膜液涂覆于PVDFrGO双层膜表面，得到PVDFrGOFeⅡ复合膜；该复合膜作为电芬顿阴极应用于有机污染物、细菌的过滤系统或膜生物反应器中，具有优异的抗污染效果、细菌杀灭能力，可显著抑制膜表面生物膜的形成，在抗膜污染方面具有广阔的应用前景。
本发明授权一种作为电芬顿阴极的PVDF/rGO/Fe(Ⅱ)复合膜、制备方法、应用、膜滤反应器在权利要求书中公布了：1.一种作为电芬顿阴极的PVDFrGOFeⅡ复合膜，其特征在于，包括基底层、电芬顿活性层和布置在基底层和电芬顿活性层之间的导电层，所述基底层包括聚偏氟乙烯膜，所述电芬顿活性层包括掺杂菱铁矿的聚偏氟乙烯膜； 所述作为电芬顿阴极的PVDFrGOFeⅡ复合膜的制备方法，包括如下步骤： 1将还原氧化石墨烯分散于去离子水中，使用基底膜对还原氧化石墨烯分散液进行抽吸过滤，使还原氧化石墨烯覆盖于基底膜上，干燥后制得PVDFrGO双层膜； 2将菱铁矿粉末超声分散于有机溶剂中，加入致孔剂和聚偏氟乙烯，加热搅拌得到铸膜液； 3将真空脱泡后的铸膜液涂覆在PVDFrGO双层膜的还原氧化石墨烯的一面，静置后浸入凝固浴中凝固成膜，待膜脱落后取出并在水中浸泡，干燥后得到所述PVDFrGOFeⅡ复合膜。
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