天府绛溪实验室罗勇获国家专利权
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龙图腾网获悉天府绛溪实验室申请的专利一种硅基负极片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510140802.0，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权一种硅基负极片及其制备方法和应用是由罗勇;宋世湃;丁治天;李德福;罗皓;廖娅;蒋琰;向勇设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基负极片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基负极片及其制备方法和应用，涉及电池技术领域，硅基负极片，包括负极集流体、以及位于负极集流体表面的负极涂层，负极涂层中含有负极活性物质，在负极涂层的表面开设有若干微纳孔洞；负极涂层包括靠近所述负极集流体的第一涂层、以及位于第一涂层至上的第二涂层；第一涂层中的第一负极活性物质包括第一石墨，第二涂层中的第二负极活性物质包括第二石墨和硅基负极材料。通过将石墨作为第一层，为硅基负极片提供坚实基础，保障电池基本性能；第二层采用导电剂改性硅基材料与石墨复合，借助微凹涂覆技术精准施涂，改善硅基材料的电子传导路径，并且借助微凹涂覆对涂层厚度、均匀度的精准把控，优化整体电化学性能。
本发明授权一种硅基负极片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基负极片，其特征在于，包括负极集流体、以及位于所述负极集流体表面的负极涂层，所述负极涂层中含有负极活性物质，在所述负极涂层的表面开设有若干微纳孔洞； 所述负极涂层包括靠近所述负极集流体的第一涂层、以及位于所述第一涂层至上的第二涂层； 所述第一涂层中的第一负极活性物质包括第一石墨，所述第二涂层中的第二负极活性物质包括第二石墨和硅基负极材料； 所述第二涂层采用微凹涂覆的方法进行涂布； 所述第二涂层的硅基负极材料为2D纳米导电剂包覆改性的硅氧或硅碳材料； 包覆方法为：将硅基负极材料、2D纳米导电剂以及表面活性剂按比例装入球磨罐中进行高能球磨； 所述硅基负极材料占总质量的90％～99.95％；2D纳米导电剂占总质量的0.05％～10％；表面活性剂占总质量的0.1％～1％。
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