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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510050936.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器及其制备方法和应用是由楚春双;张紫辉;田康凯;黄福平;裴正旺设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电探测器技术领域。制备方法包括如下步骤：在衬底表面上依次外延生长缓冲层、第一吸收层、插入层、第二吸收层和极化层；沿极化层的一侧刻蚀，至暴露出部分第二吸收层，并在第二吸收层上保留部分极化层；刻蚀没有被极化层覆盖的第二吸收层的中间部分，在第二吸收层的中部刻蚀出凹槽；在凹槽中制备金属薄层；在金属薄层上方制备布拉格反射镜；在极化层上方制备第一金属电极，在第二吸收层上方制备第二金属电极。本发明的光电探测器，实现了低噪声的自驱动操作，可以在实现窄波段探测的同时有效地提升光暗抑制比和响应灵敏度。

本发明授权一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有双栅控制结构的GaN基自驱动窄带光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在衬底101表面上依次外延生长缓冲层102、第一吸收层1031、插入层104、第二吸收层1032和极化层106； S2.沿所述极化层106的一侧刻蚀，至暴露出部分所述第二吸收层1032，并在所述第二吸收层1032上保留部分所述极化层106； S3.刻蚀没有被所述极化层106覆盖的所述第二吸收层1032的中间部分，在所述第二吸收层1032的中部刻蚀出凹槽； S4.在所述凹槽中制备金属薄层105； S5.在所述金属薄层105上方制备布拉格反射镜109； S6.在所述极化层106上方制备第一金属电极107，在所述第二吸收层1032上方制备第二金属电极108； 其中，所述插入层104作为极化栅； 所述金属薄层105作为金属栅； 所述第一吸收层1031的材质为Inx1Ga1-x1N或者Alx2Ga1-x2N，各组分系数为0≤x11，0≤x21； 所述第二吸收层1032的材质为Inx1Ga1-x1N或者Alx2Ga1-x2N，各组分系数为0≤x11，0≤x21； 所述插入层104的材质为Iny1Ga1-y1N或者Aly2Ga1-y2N，各组分系数为0≤y1≤1，0≤y2≤1，y1x1，y2x2； 所述极化层106的材质为Inz1Ga1-z1N或者Alz2Ga1-z2N，各组分系数为0≤z1≤1，0≤z2≤1，z1x1，z2x2。

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