电子科技大学王玲芳获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器及自拍频检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119902327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510016772.2,技术领域涉及:G02B6/12;该发明授权基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器及自拍频检测方法是由王玲芳;汤天佑设计研发完成,并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器及自拍频检测方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器及自拍频检测方法,所述检测器包括:超短脉冲端口,超连续谱SCG产生区域,长周期波导光栅LPWG,单模直波导,输出直波导,耦合直波导,调谐电极。本发明高度集成化,只需要一个集成波导芯片就可以完成拍频,解决了现有检测方法成本昂贵、系统复杂以及拍频系统的操作困难的问题,受益于单片芯片同时产生跨倍频程超连续谱,以及二倍频光,不再需要额外倍频晶体,以及受益于LPWG本身工作带宽会限制滤波效果,本发明将不再需要外置滤波元件,本发明的成功研发,将在高精度频率测量、光原子钟、稳定可靠的片上光频梳研发等方面具备广阔的应用背景,具有重要的科学意义和深远的现实意义。
本发明授权基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器及自拍频检测方法在权利要求书中公布了:1.一种基于LPWG的片上载波包络偏移频率自拍频检测方法,适用于一种基于LPWG的片上载波包络偏移频率检测器,包括:端口1,超连续谱SCG产生区域2,长周期波导光栅LPWG3,单模直波导4,输出直波导5,耦合直波导6,调谐电极7; 其中,所述端口1为超短脉冲输入端,超连续谱SCG产生区域2为抛物线型渐变宽度的波导区域,长周期波导光栅LPWG3为多模侧壁型,单模直波导4为矩形波导;所述方法具体步骤如下: S1、入射飞秒脉冲光经端口1进入超连续谱SCG产生区域2,通过非线性效应产生跨倍频程的超连续谱SCG; S2、基于步骤S1产生的SCG经过长周期波导光栅LPWG3,将SCG中的以入射飞秒脉冲光的二倍频光为中心的光和短波色散波混频的部分耦合进入单模直波导4中; 其中,入射飞秒脉冲光经长周期波导光栅LPWG3产生色散波与二倍频光有效重叠的超连续谱;SCG经过LPWG耦合区域之后将剩余部分通过输出直波导5输出; S3、基于步骤S1产生的SCG和以步骤S2中耦合至单模直波导4中的入射飞秒脉冲光的二倍频光为中心的一定带宽范围的输出谱,直接检测从耦合直波导6输出的光,通过微调调谐电极7,可直接检测出载波包络偏移频率fCEO。
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