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龙图腾网获悉北京吉兆源科技有限公司申请的专利射频电源输出功率校准方法及装置、半导体工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411823338.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权射频电源输出功率校准方法及装置、半导体工艺方法是由李树瑜;王丽设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频电源输出功率校准方法及装置、半导体工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种射频电源输出功率校准方法及装置、半导体工艺方法，通过获取第一残存指标，并将其与基准刻蚀稳定指标比较，得到第一相比指标。根据第一相比指标与第一阈值的比较结果，决定采取残留物校准策略或均一校准策略。残留物校准策略优先调整第一下射频指标后校准第一上射频指标；而均一校准策略先调整第二上射频指标后校准第二下射频指标，解决了现有技术中的无法快速识别出残留物存留场景的不同阶段及针对该不同阶段协同校准上下射频电源的输出功率的方法的技术问题，达到了提高刻蚀过程的适应性和灵活性以及提升了刻蚀过程的可预测性及适应各种复杂刻蚀环境的技术效果。

本发明授权射频电源输出功率校准方法及装置、半导体工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种射频电源输出功率校准方法，其特征在于，包括： 获取第一残存指标，所述第一残存指标是根据第一刻蚀速率和第一等离子体密度变化率计算而得，所述第一刻蚀速率和第一等离子体密度变化率均于半导体刻蚀区域的第一时间T1内获取，其中，所述第一残存指标与第一等离子体密度变化率成正相关以及与所述第一刻蚀速率成反相关； 获取基准刻蚀稳定指标，所述基准刻蚀稳定指标是根据基准刻蚀速率和基准等离子体密度变化率计算而得，所述基准刻蚀速率和基准等离子体密度变化率均于半导体刻蚀区域的第一时间T1内获取； 根据第一残存指标和基准刻蚀稳定指标得到第一相比指标，所述第一相比指标是第一残存指标除以基准刻蚀稳定指标； 比较第一相比指标与第一阈值的大小，得到比较结果； 其中，若比较结果满足第一比较范围，则执行残留物校准策略，所述残留物校准策略包括：根据所述比较结果先校准第一下射频指标后校准第一上射频指标，所述第一下射频指标和所述第一上射频指标均包括射频电源输出功率； 若比较结果满足第二比较范围，则执行均一校准策略，所述均一校准策略包括：根据所述比较结果先校准第二上射频指标后校准第二下射频指标，所述第二下射频指标和所述第二上射频指标均包括射频电源输出功率。

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