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龙图腾网获悉武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司申请的专利基于碳化硅晶圆的激光切割方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119927445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830684.8，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权基于碳化硅晶圆的激光切割方法及设备是由胡希睿;杨付飞;万小敏;郑一鸣;雷小锋;徐伟;夏凯;范小康;樊世华设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于碳化硅晶圆的激光切割方法及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于碳化硅晶圆的激光切割方法及设备，方法包括S100：将背面朝上并贴好切割膜的碳化硅晶圆放置在涂胶清洗平台上将胶水均匀涂满整个晶圆背面；S200：将碳化硅晶圆放置在激光表切平台的透明吸盘上生成第一切割路径；S300：第一激光聚焦在碳化硅晶圆背面金属层上，沿着所述第一切割路径将晶圆背面金属层完全去除形成V槽；S400：将碳化硅晶圆重新贴膜生成第二切割路径；S500：第二激光聚焦在碳化硅晶圆内部，沿着所述第二切割路径在每条切割道内进行激光改质切割，并利用劈刀下压在切割道上实现一颗颗芯片的分离。本发明的方法利用不同激光器的切割效果，解决目前切割手段中出现的背金撕扯和正面崩边、直线度较差的现象。

本发明授权基于碳化硅晶圆的激光切割方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅晶圆的激光切割方法，其特征在于，包括： S100：贴膜涂胶机构，其包括涂胶清洗平台吸盘、铁环、切割膜以及涂胶头，所述贴膜涂胶机构将背面朝上并贴好切割膜的碳化硅晶圆放置在涂胶清洗平台上，再将水溶性胶水滴在晶圆背面中心处，通过旋转平台，将胶水均匀涂满整个晶圆背面； S200：待胶水风干后，将碳化硅晶圆放置在激光表切平台的透明吸盘上，利用第一CCD视觉成像，识别定位碳化硅晶圆正面切割道位置，并生成第一切割路径； S300：第一激光为紫外激光，所述第一激光聚焦在碳化硅晶圆背面金属层上，沿着所述第一切割路径，调控激光器的重频、功率以及平台扫描速度工艺参数，将晶圆背面金属层完全去除，形成V槽； S400：切割完成后再将碳化硅晶圆放置在涂胶清洗平台上，利用纯水将水溶性胶水冲洗干净，并将碳化硅晶圆重新贴膜，保证正面朝上，将碳化硅晶圆放置在激光隐切平台的微孔陶瓷吸盘上，利用第二CCD视觉成像，识别定位碳化硅晶圆正面切割道位置，并生成第二切割路径； S500：第二激光为红外激光，所述第二激光聚焦在碳化硅晶圆内部，沿着所述第二切割路径，调控所述激光器的重频、功率以及平台扫描速度、切割次数工艺参数，在每条切割道内进行激光改质切割，并将保护膜覆盖在切割完的碳化硅晶圆正面上，利用劈刀下压在切割道上，实现一颗颗芯片的分离。

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