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龙图腾网获悉苏州汉骅半导体有限公司申请的专利一种全彩Micro LED显示器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411981595.3，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种全彩Micro LED显示器件及其制备方法是由倪贤锋;范谦设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全彩Micro LED显示器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全彩MicroLED显示器件及其制备方法，器件包括若干组显示单元，所述显示单元包括：第一N‑GaN层，蓝光LED发光层，第一P‑GaN层，第一重掺PN结层，第二N‑GaN层，绿光LED发光层，第二P‑GaN层，第二重掺PN结层，第三N‑GaN层，红光LED发光层，第三P‑GaN层，第三重掺PN结层，第四N‑GaN层，金属反射层；钝化层，覆盖所述第一N‑GaN层、蓝光LED发光层、第一P‑GaN层、第一重掺PN结层、第二N‑GaN层、绿光LED发光层、第二P‑GaN层、第二重掺PN结层、第三N‑GaN层、红光LED发光层、第三P‑GaN层、第三重掺PN结层、第四N‑GaN层、金属反射层的侧壁；第一电极、第二电极、第三电极、第四电极上表面高度齐平；CMOS驱动器，覆盖键合层的上表面并电连接所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极。

本发明授权一种全彩Micro LED显示器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全彩MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 形成第一部件，包括以下步骤： 步骤11，提供一硅衬底，在所述硅衬底表面依次外延生长形核层、缓冲层、第一N-GaN层、蓝光LED发光层、第一P-GaN层、第一重掺PN结层、第二N-GaN层、绿光LED发光层、第二P-GaN层、第二重掺PN结层、第三N-GaN层、红光LED发光层、第三P-GaN层、第三重掺PN结层、第四N-GaN层； 步骤12，第一次刻蚀，沿所述第一部件的厚度方向刻蚀所述第一N-GaN层上各层的一部分及所述第一N-GaN层一部分，在所述第一N-GaN层的侧边形成第一台阶； 步骤13，第二次刻蚀，沿所述第一部件的厚度方向刻蚀所述第二N-GaN层上各层的一部分及所述第二N-GaN层一部分，在所述第二N-GaN层的侧边形成第二台阶； 步骤14，第三次刻蚀，沿所述第一部件的厚度方向刻蚀所述第三N-GaN层上各层的一部分及所述第三N-GaN层一部分，在所述第三N-GaN层的侧边形成第三台阶； 步骤15，在所述第四N-GaN层的上表面形成金属反射层； 步骤16，形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一N-GaN层、蓝光LED发光层、第一P-GaN层、第一重掺PN结层、第二N-GaN层、绿光LED发光层、第二P-GaN层、第二重掺PN结层、第三N-GaN层、红光LED发光层、第三P-GaN层、第三重掺PN结层、第四N-GaN层、金属反射层的侧壁； 步骤17，在所述第一台阶、第二台阶、金属反射层、第三台阶上方分别设置第一子电极、第二子电极、第三子电极、第四子电极； 步骤18，形成第一键合层，所述第一键合层填充所述第一子电极、第二子电极、第三子电极、第四子电极、钝化层相互之间的间隙，并覆盖所述金属反射层； 步骤19，平坦化所述第一键合层； 形成第二部件，包括以下步骤： 步骤21，提供一CMOS驱动器，在所述CMOS驱动器上方形成第二键合层； 步骤22，沿所述第二键合层厚度方向刻蚀第二键合层，形成四个贯穿所述第二键合层的贯孔； 步骤23，在所述贯孔内分别放置第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极、第四接触电极； 键合所述第一部件和所述第二部件，包括以下步骤： 步骤31，水平转置所述第二部件，将所述第一子电极与所述第一接触电极、所述第二子电极与所述第二接触电极、所述第三子电极与所述第三接触电极、所述第四子电极与所述第四接触电极对准键合，并分别形成第一电极、第二电极、第三电极、第四电极； 步骤32，去除所述硅衬底、形核层、缓冲层，得到所述全彩MicroLED显示器件。

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