江西汉可泛半导体技术有限公司黄海宾获国家专利权
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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法及其系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252997.8，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法及其系统是由黄海宾;刘翠翠设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法及其系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法，其使用热丝化学气相沉积技术，包括：将布置在工艺腔中的热丝采用小电流预热；将预热后的热丝采用大电流加热并向工艺腔中通入氨气，控制工艺腔的压力进行反应；保持热丝采用大电流加热和通入氨气，向工艺腔中通入硅烷，控制工艺腔的压力进行反应；继续保持热丝采用大电流加热并继续保持通入氨气，对工艺腔不控压；将采用大电流加热的热丝降温至采用小电流进行加热缓冲。此外，本发明还涉及一种HoFCVD系统。本发明有效解决了硅烷优先于氨气分解的问题，提高了氮化硅薄膜的质量。本发明也能完美解决PECVD设备镀膜衬底温度过高导致的非晶硅膜层损坏及ALD设备镀膜速率慢导致的产能不足问题。
本发明授权一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法及其系统在权利要求书中公布了：1.一种沉积高质量氮化硅薄膜的方法，其特征在于，使用热丝化学气相沉积技术，包括： S1：将布置在工艺腔中的热丝采用小电流进行预热； S2：将预热后的热丝采用大电流加热并向工艺腔中通入氨气，并控制工艺腔的压力进行反应； S3：保持热丝采用大电流加热和通入氨气，并向工艺腔中通入硅烷，并控制工艺腔的压力进行反应； S4：继续保持热丝采用大电流加热并继续保持通入氨气，并对工艺腔不控压； S5：将采用大电流加热的热丝降温至采用小电流进行加热缓冲； 其中，在步骤S1-S5中，小电流的范围是6-8A，大电流的范围是30-36A；在步骤S2-S4中，通入氨气的流量为5000-5500sccm，通入硅烷的流量为500-550sccm；在步骤S2和S3中，控制工艺腔的压力在1-1.5Pa。
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