杭州电子科技大学万柔惠获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119995530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510067360.1,技术领域涉及:H03F1/30;该发明授权一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器是由万柔惠;郭裕顺设计研发完成,并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器,包括:基于反相器的放大电路和PVT补偿的衬底偏置电路;所述基于反相器的放大电路包括由PMOS和NMOS管的衬底均受偏置电路控制的CMOS反相器构成的差分输入对、共模反馈放大器、由共模反馈放大器控制的可变电流源、第一和第二电阻;所述PVT补偿的衬底偏置电路包括MOS管构成的启动电路、由MOS管和电阻构成的与温度成比例的基准电流源、由MOS管构成的同时输出PMOS管和NMOS管体偏置电压的电路。本发明在温度或工艺参数发生变化时,能稳定放大器的增益和带宽,且在超低压下仍能正常工作,显著降低放大器的功耗。
本发明授权一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器在权利要求书中公布了:1.一种基于反相器的PVT补偿超低压全差分OTA放大器,其特征在于,包括:基于反相器的放大电路和PVT补偿的衬底偏置电路;所述基于反相器的放大电路包括由PMOS和NMOS管的衬底均受偏置电路控制的CMOS反相器构成的差分输入对、共模反馈放大器、由共模反馈放大器控制的可变电流源、第一和第二电阻;所述PVT补偿的衬底偏置电路包括MOS管构成的启动电路、由MOS管和电阻构成的与温度成比例的基准电流源、由MOS管构成的同时输出PMOS管和NMOS管体偏置电压的电路; 所述PVT补偿的衬底偏置电路包括第十三至第二十五MOS管、第一至第三电容以及第三电阻,第十三至第十五MOS管构成启动电路,第十六至第二十一MOS管以及第三电阻构成与温度成比例的基准电流源,第二十二和第二十三MOS管构成第一输出节点电路,第二十四和第二十五MOS管构成第二输出节点电路,其中第十三、十六、十八、二十、二十二、二十四MOS管为PMOS管,第十四、十五、十七、十九、二十一、二十三、二十五MOS管为NMOS管,具体实现为: 第十三MOS管M13、第十六MOS管M16、第十八MOS管M18、第二十二MOS管M22、第二十四MOS管M24的源极、第十三MOS管M13、第十六MOS管M16、第十八MOS管M18的体极、第一电容C1的上极板以及第三电阻R3的一端均与外部电源VDD连接,第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十七MOS管M17、第十九MOS管M19、第二十一MOS管M21、第二十三MOS管M23、第二十五MOS管M25的源极和体极以及第二电容C2和第三电容C3的下极板均与地连接,第十三MOS管M13、第十五MOS管M15、第十七MOS管M17、第十九MOS管M19、第二十一MOS管M21、第二十三MOS管M23的栅极共同连接并与第十六MOS管M16、第十七MOS管M17的漏极相连接,第十三MOS管M13和第十五MOS管M15的漏极共同连接并与第十四MOS管M14的栅极相连接,第十四MOS管M14、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19的漏极共同连接并与第十六MOS管M16、第二十五MOS管M25的栅极、第一电容C1的下极板相连接,第十八MOS管M18、第二十MOS管M20的栅极共同连接并与第二十MOS管M20、第二十一MOS管M21的漏极连接,第二十MOS管M20的源极和体极连接并与第三电阻R3的另一端相连接,第二十二MOS管M22、第二十四MOS管M24的栅极均与外部参考电源Vcm连接,第二十二MOS管M22、第二十三MOS管M23的漏极共同连接并与第二电容C2的上极板、第一MOS管M1、第三MOS管M3、第五MOS管M5、第七MOS管M7、第二十二MOS管M22的体极连接,第二十四MOS管M24、第二十五MOS管M25的漏极共同连接并与第三电容C3的上极板、第二MOS管M2、第四MOS管M4、第六MOS管M6、第八MOS管M8、第二十四MOS管M24的体极连接。
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