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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157463.7，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构及制备方法是由高志远;朱海昌;李可心;杨琦设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构及制备方法在说明书摘要公布了：横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构及制备方法，属于半导体微电子领域。结构为：纵向电极和横向电极整体形成网格结构，纵向电极和横向电极层叠搭接部分之间为层叠的黏附层和隔离层，每一个网格内制备有一个ZnO紫外探测器。纵向电极厚度为d1，器件的ZnO种子层厚度为d2，器件的TiAu电极层厚度为d3，要求为d3＞d1＞d2，150nm＜d1＜200nm、100nm＜d2＜150nm、200nm＜d3＜250nm。可以避免各个器件之间信号的串扰、实现器件和电极之间的稳定连接以及层级电极之间的隔离，获得稳定的读出电极结构。

本发明授权横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向ZnO纳米线紫外探测器阵列读出电极结构，其特征在于，结构包括：纵向电极101、黏附层102、隔离层103、横向电极104、由ZnOTiAu组成的器件阵列结构105；隔离层为SiO2； 在衬底上沉积多条条状、平行且独立的TiAu薄膜作为纵向电极101，在纵向电极上部分区域沉积一层块状Ti层，用作黏附层102；隔离层103和纵向电极101完全将黏附层102包覆住；在衬底上沉积多条条状、平行且独立的TiAu薄膜作为横向电极104，横向电极垂直于纵向电极，横向电极104层叠搭在纵向电极101上，组成完整读出电极结构，纵向电极101和横向电极104整体形成网格结构，纵向电极101和横向电极104层叠搭接部分之间为层叠的黏附层102和隔离层103； 在读出电极结构上制备ZnO紫外探测器阵列，纵向电极101和横向电极104形成的每一个网格内制备有一个ZnO紫外探测器，或根据需要在不同的网格中制备ZnO紫外探测器；ZnO紫外探测器包括：沉积两个平行对称且独立的ZnO薄膜层作为种子层，一个种子层与纵向电极平行且接触连接在一起，另一个种子层垂直横向电极，横向电极设有侧面凸起或延伸与此另一个种子层连接接触在一起；ZnO种子层上沉积一层金属的紫外探测器电极层；ZnO种子层相对的两侧面生长有ZnO纳米线，形成完整桥接ZnO纳米线紫外探测器阵列结构。

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