湖北大学王浚英获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北大学申请的专利一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME-TFSI忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510067373.9，技术领域涉及：H10K10/50；该发明授权一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME-TFSI忆阻器及其制备方法是由王浚英;熊梹铨;何文雅;董文静;夏晨;汪宝元设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME-TFSI忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME‑TFSI忆阻器，包括底电极、离子液体层、顶电极层；其中，所述底电极设置于最下方；所述离子液体层设置于所述底电极上方；所述顶电极层设置于所述离子液体层上方。本发明的具有模拟生物突触功能的DEME‑TFSI忆阻器属于典型的非易失性忆阻器，具有低成本、制备条件简单，整个忆阻器的结构易于设计，工艺简单，性能稳定等优点，并且成功模拟了生物突触功能的特点，如LTPLTD、PPF、STDP等，表明了DEME‑TFSI忆阻器作为高性能非易失性存储器及其在未来计算机系统和神经形态计算中具有应用潜力。
本发明授权一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME-TFSI忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有模拟生物突触功能的离子液体DEME-TFSI忆阻器，其特征在于，包括底电极、离子液体层、顶电极层； 其中，所述底电极设置于最下方； 所述离子液体层设置于所述底电极上方； 所述顶电极设置于所述离子液体层上方； 其中，所述离子液体层的材质为DEME-TFSI。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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