广州增芯科技有限公司王良获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利纳米管无结场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510166662.4，技术领域涉及：H10D30/43；该发明授权纳米管无结场效应晶体管是由王良;朱朝嵩;江丰顺设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米管无结场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种纳米管无结场效应晶体管，包括：纳米管结构，所述纳米管结构包括内表面、外表面和中心面，所述中心面位于所述内表面和外表面之间；沿所述纳米管结构的延伸方向上，所述纳米管结构包括沟道区、高斯环区域和源漏掺杂区，所述高斯环区域位于所述沟道区两侧，所述源漏掺杂区位于各所述高斯环区域远离所述沟道区一侧；沿所述内表面向中心面，以及沿所述外表面向中心面，所述高斯环区域内的掺杂离子浓度逐渐增大；位于所述沟道区内表面和外表面的栅极结构。纳米管无结场效应晶体管的性能得到提升。
本发明授权纳米管无结场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种纳米管无结场效应晶体管，其特征在于，包括： 纳米管结构，所述纳米管结构包括内表面、外表面和中心面，所述中心面位于所述内表面和外表面之间；沿所述纳米管结构的延伸方向上，所述纳米管结构包括沟道区、高斯环区域和源漏掺杂区，所述高斯环区域位于所述沟道区两侧，所述源漏掺杂区位于各所述高斯环区域远离所述沟道区一侧；沿所述内表面向中心面，以及沿所述外表面向中心面，所述高斯环区域内的掺杂离子浓度逐渐增大； 位于所述沟道区内表面和外表面的栅极结构。
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