无锡华润安盛科技有限公司奚啸晨获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润安盛科技有限公司申请的专利半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120072781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311638257.5,技术领域涉及:H01L23/495;该发明授权半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法是由奚啸晨;潘效飞设计研发完成,并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法。半导体结构包括电气连接件、芯片、键合线及塑封层。电气连接件包括承载部及引脚。第一承载部的第一承载面的高度小于第二承载部的第二承载面的高度。第一芯片贴装在第一承载面且背面朝向第一承载面;第二芯片贴装在第二承载面且背面朝向第二承载面。键合线包括相邻的第一键合线和第二键合线,第一键合线的第一区段与第一芯片的焊垫相连,第三区段与第二芯片的焊垫相连;第二键合线的第一区段与第二芯片的焊垫相连,第三区段与第一芯片的焊垫或引脚相连;第一键合线的第二区段的高度小于第二键合线的第二区段的高度。塑封层包封芯片、电气连接件及键合线,引脚至少部分露出塑封层。
本发明授权半导体结构、电气连接件及半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括: 电气连接件,所述电气连接件包括承载部及位于所述承载部侧部的多个引脚;所述承载部包括第一承载部和第二承载部,所述第一承载部包括第一承载面,所述第二承载部包括第二承载面,所述第一承载面与所述第二承载面位于所述承载部的同一侧,且所述第一承载面的高度小于所述第二承载面的高度; 多个芯片,包括第一芯片和第二芯片;所述芯片包括芯片正面及与所述芯片正面相对的芯片背面;所述芯片正面设有多个焊垫;所述第一芯片贴装在所述第一承载面,且芯片背面朝向所述第一承载面;所述第二芯片贴装在所述第二承载面,且芯片背面朝向所述第二承载面;所述引脚与所述第一承载面位于同一侧的表面的高度小于所述第一承载面的高度; 多个键合线,包括顺次连接的第一区段、第二区段和第三区段;所述多个键合线包括第一键合线、第二键合线、第三键合线和第四键合线,所述第一键合线与所述第二键合线相邻;所述第一键合线的第一区段与所述第一芯片的焊垫相连,第三区段与所述第二芯片的焊垫相连;所述第二键合线的第一区段与所述第二芯片的焊垫相连,第三区段与所述第一芯片的焊垫或所述引脚相连;所述第一键合线的第二区段位于所述第二键合线的第二区段朝向所述第一承载部的一侧;所述第三键合线的第一区段与所述第一芯片的焊垫相连,第三区段与所述引脚相连;所述第四键合线的第一区段与所述第二芯片的焊垫相连,第三区段与所述引脚相连;所述第三键合线的第二区段位于所述第四键合线的第二区段朝向所述第一承载部的一侧; 塑封层,包封所述芯片、所述电气连接件及所述键合线,且所述引脚的至少部分露出所述塑封层。
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