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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触光伏电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510578927.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触光伏电池及其制备方法、电池组件是由张倬涵;储余;张战宣;李军虎;丁志武;黄纪德;刘长明;张昕宇;金浩设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触光伏电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背接触光伏电池及其制备方法、电池组件，涉及光伏电池技术领域。以解决背接触光伏电池的制备工艺较为复杂的问题。该背接触光伏电池的制备方法包括：硅基体由内向外制备层叠设置的第一氧化层、第一本征晶硅层、第二氧化层和第二本征晶硅层，第一氧化层为隧穿氧化层。对第二本征晶硅层进行掺杂并形成第一掺杂氧化层。通过激光去除至少第二极性区的第一掺杂氧化层。去除至少第二极性区的第二本征晶硅层和第二氧化层。第一极性区在第一掺杂氧化层的内侧形成有第一掺杂晶硅层。在第二极性区的第一本征晶硅层外侧制备第二掺杂氧化层，并将第二掺杂氧化层的掺杂源推进至第一本征晶硅层，以形成第二掺杂晶硅层。

本发明授权背接触光伏电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触光伏电池的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S100：提供硅基体，所述硅基体包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面包括第一极性区和第二极性区； 步骤S200：至少在所述第一面，由内向外制备层叠设置的第一氧化层、第一本征晶硅层、第二氧化层和第二本征晶硅层，所述第一氧化层为隧穿氧化层，其中，所述第一本征晶硅层和第二本征晶硅层通过沉积预定时间而制备，并且，第二本征晶硅层的沉积时间小于第一本征晶硅层的沉积时间； 步骤S300：对所述第一面的所述第二本征晶硅层进行掺杂，并在掺杂后的所述第二本征晶硅层外侧形成第一掺杂氧化层； 步骤S400：通过激光去除至少所述第二极性区的所述第一掺杂氧化层； 步骤S500：去除至少所述第二极性区的所述第二本征晶硅层和所述第二氧化层； 步骤S600：将所述第一掺杂氧化层的掺杂源推进至所述第二本征晶硅层和所述第一本征晶硅层，以在所述第一掺杂氧化层的内侧形成两层第一掺杂晶硅层；在所述第二极性区的所述第一本征晶硅层外侧制备第二掺杂氧化层，并将所述第二掺杂氧化层的掺杂源推进至所述第一本征晶硅层，以形成第二掺杂晶硅层；所述第一掺杂晶硅层的掺杂类型与所述第二掺杂晶硅层的掺杂类型相反； 在所述步骤S600之后，所述制备方法还包括： 在所述第一极性区，去除所述第二氧化层外侧的所述第一掺杂晶硅层和所述第二氧化层并清洗，直至露出所述第一本征晶硅层形成的所述第一掺杂晶硅层。

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