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龙图腾网获悉无锡宇邦半导体科技有限公司申请的专利一种防堵塞气体喷淋头获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120210779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510539647.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种防堵塞气体喷淋头是由高华设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防堵塞气体喷淋头在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工领域，具体为一种防堵塞气体喷淋头，包括气体喷淋盘、初步混合组件、强化混合组件、温控组件和收集处理组件，气体喷淋盘的下端设有若干出气孔，在多种反应气源参与加工之前，在反应组装管内通过初步混合组件和强化混合组件进行多气源的充分混合，并且混合期间，对热量进行充分的释放，然后通过温控组件，对其产生的热量在反应组装管内即进行有效处理，使混合后的加工气体处于稳定状态喷淋出气体喷淋盘，避免气体喷淋盘内长时间处于高温可能产生的堵塞问题，然后通过收集处理组件对可能产生冷凝水的混合气体进行冷凝水的独立收集和排出，在不影响气体使用的同时不会发生冷凝水堵塞气孔的现象。

本发明授权一种防堵塞气体喷淋头在权利要求书中公布了：1.一种防堵塞气体喷淋头，其特征在于，包括： 气体喷淋盘1，所述气体喷淋盘1的下端设有若干出气孔，气体喷淋盘1的上端中心连通设有安装筒2，安装筒2内通过螺纹密封插接设有反应组装管3，反应组装管3的上端设有多孔接口4； 初步混合组件，所述初步混合组件设于反应组装管3内上端，初步混合组件包括锥形混合腔5和若干螺旋气管8； 强化混合组件，所述强化混合组件插接反应组装管3置于安装筒2内的下端，强化混合组件包括包括强化混合座9，强化混合座9的中心竖直设有中心接通管10，强化混合座9的上端与中心接通管10之间竖直开设有混合腔； 温控组件，所述温控组件包括第一冷媒槽21、第二冷媒槽22和第三冷媒槽25，第一冷媒槽21和第二冷媒槽22开设于强化混合座9内，第三冷媒槽25开设于反应组装管3内靠近锥形混合腔5的一侧； 收集处理组件，所述收集处理组件设于反应组装管3置于安装筒2内的下端，收集处理组件包括收集筒17，收集筒17的下端设有收集球槽29，且中心接通管10的下端插接收集球槽29内； 所述反应组装管3位于锥形混合腔5的上端对称开设有若干换向气槽7，锥形混合腔5内位于换向气槽7的一侧均连通设有螺旋气管8，锥形混合腔5内上端为圆柱槽结构，下端为圆锥形结构，螺旋气管8的侧边均与锥形混合腔5内侧壁相接触，且换向气槽7内均贯穿多孔接口4开设有反应气源连接槽6； 中心接通管10的上端竖直插接锥形混合腔5内，多孔接口4的中心连通锥形混合腔5开设有冷媒输入槽27； 所述锥形混合腔5内下端与强化混合座9的混合腔对应设置，强化混合座9的混合腔内两侧自上而下依次设有锥形导流槽11、换向导流槽12、第一弧形扰流槽13和第二弧形扰流槽14，锥形导流槽11与第一弧形扰流槽13之间通过隔板间隔连接，换向导流槽12与第二弧形扰流槽14之间通过隔板间隔连接，且两个隔板错位设置； 所述强化混合座9的混合腔内下端贯穿开设有若干混合透出槽15，第一冷媒槽21开设有与强化混合座9内中心，第二冷媒槽22开设有强化混合座9内靠近混合腔的外周侧，换向导流槽12和第二弧形扰流槽14吸收的热量可传递至第一冷媒槽21，锥形导流槽11和第一弧形扰流槽13吸收的热量可传递至第二冷媒槽22，第一冷媒槽21内下端与第二冷媒槽22内下端水平连通开设有若干错位接通槽23，若干错位接通槽23与若干混合透出槽15错位设置，中心接通管10的上下两端分别连通冷媒输入槽27和第一冷媒槽21，产生的冷凝水，通过混合透出槽15滴落在收集筒17的收集球槽29内进行收集。

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