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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利一种存储芯片的封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510529666.4，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种存储芯片的封装结构及其制备方法是由张治强;卢冠华;陈宝纯设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片的封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：为克服现有层叠式芯片封装结构中存在散热不良，以及各存储芯片之间体积膨胀率不同导致的应力的问题，本发明提供了一种存储芯片的封装结构，包括基板、控制芯片、导热层、存储芯片、导热浆料层和封装胶层，所述导热层设置于所述控制芯片背离所述基板的表面，在多个所述存储芯片的两侧分别形成有第一阶梯面和第二阶梯面，所述控制芯片、所述导热层和所述存储芯片位于所述封装胶层中，所述导热浆料层包括第一导热浆料层和第二导热浆料层，所述第一导热浆料层覆盖于所述第二阶梯面，所述第二导热浆料层覆盖于所述封装胶层的外表面。同时，本发明还公开了上述存储芯片的封装结构的制备方法。

本发明授权一种存储芯片的封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片的封装结构，其特征在于，包括基板、控制芯片、导热层、存储芯片、导热浆料层和封装胶层，所述控制芯片设置于所述基板表面，所述导热层设置于所述控制芯片背离所述基板的表面，且部分延伸出所述控制芯片的覆盖范围，所述存储芯片的数量为多个，多个所述存储芯片呈阶梯式错位层叠设置于所述导热层背离所述控制芯片的表面，以在多个所述存储芯片的两侧分别形成有第一阶梯面和第二阶梯面，多个所述存储芯片在所述第一阶梯面的位置相互电连接，所述存储芯片与所述控制芯片电连接，所述封装胶层设置于所述基板上，所述控制芯片、所述导热层和所述存储芯片位于所述封装胶层中，且所述导热层至少部分延伸出所述封装胶层，所述导热浆料层包括第一导热浆料层和第二导热浆料层，所述第一导热浆料层覆盖于所述第二阶梯面，所述第二导热浆料层覆盖于所述封装胶层的外表面，所述第一导热浆料层和所述第二导热浆料层相互连接，所述导热层与所述第二导热浆料层相互连接； 所述导热浆料层还包括第三导热浆料层和第四导热浆料层，所述第三导热浆料层覆盖于所述导热层延伸出所述控制芯片的表面，所述第四导热浆料层覆盖于所述控制芯片的侧面，所述第一导热浆料层、所述第二导热浆料层、所述第三导热浆料层和所述第四导热浆料层连接为整体； 相邻所述存储芯片之间、所述第一导热浆料层和所述存储芯片之间、以及所述第四导热浆料层和所述控制芯片之间均设置有第一有机硅树脂层； 所述第一导热浆料层背离所述存储芯片的一侧、所述第三导热浆料层背离所述导热层的一侧、以及所述第四导热浆料层背离所述控制芯片的一侧设置有第二有机硅树脂层，所述封装胶层为环氧树脂材料； 所述第一有机硅树脂层和所述第二有机硅树脂层均由有机硅浆料固化得到，所述有机硅浆料包括以下重量组分： 有机硅树脂40~60份、含氢硅油3~10份、催化剂0.05~1份、填料10~20份和溶剂10~70份。

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