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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、功率模组和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510921693.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件、功率模组和电子设备是由焦腾;陈嘉祥;杨茂谨;查显弧;刘妍;张道华;万玉喜设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、功率模组和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于使半导体器件在增强型的条件下，实现反向偏压下的导通；该半导体器件包括衬底、栅极、导电电极、第一电流阻挡层、第一掺杂层、第一电极、第二电流阻挡层、第二掺杂层和第二电极、介质层和第三电极，导电电极设于栅极靠近衬底的一侧；第一电流阻挡层、第一掺杂层和第一电极，沿第一方向且远离衬底的方向层叠设置，设于栅极的第一侧；第二电流阻挡层、第二掺杂层和第二电极，沿第一方向且远离衬底的方向层叠设置；第二掺杂层和第二电极设于栅极的第二侧；第二电流阻挡层位于导电电极和第二电流阻挡层靠近衬底的一侧。上述半导体器件应用于功率模组中。

本发明授权半导体器件、功率模组和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 形成衬底； 在所述衬底沿第一方向的一侧形成第一叠层结构和第二叠层结构，所述第一方向为所述衬底的厚度方向；所述第一叠层结构和所述第二叠层结构沿第二方向间隔设置，二者之间形成第一凹槽，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一叠层结构包括第一电流阻挡层，和设于所述第一电流阻挡层远离所述衬底一侧的第一掺杂层；所述第二叠层结构包括第二电流阻挡层，和设于所述第二电流阻挡层远离所述衬底一侧的第二掺杂层；所述第一凹槽暴露所述第二电流阻挡层的部分表面；所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述衬底的掺杂类型相同； 在所述第一凹槽的底面和侧壁上形成第一子介质层，所述第一子介质层形成第二凹槽； 在所述第二凹槽的底部形成导电电极，在所述第一掺杂层远离所述第一电流阻挡层的一侧形成第一电极，在所述第二掺杂层远离所述第二电流阻挡层的一侧形成第二电极，所述导电电极、所述第一电极和所述第二电极形成在同一步骤中； 在所述导电电极远离所述衬底的一侧，以及所述第二凹槽的侧壁、所述第一电极靠近所述第二凹槽一侧的侧壁、所述第二电极靠近所述第二凹槽一侧的侧壁上形成第二子介质层；所述第一子介质层和所述第二子介质层形成介质层； 在所述介质层上形成栅极；所述第一电流阻挡层、所述第一掺杂层和所述第一电极位于所述栅极的第一侧，所述第二掺杂层和所述第二电极位于所述栅极的第二侧，所述栅极的第一侧和第二侧分别为所述栅极在所述第二方向上的相背的两侧；所述第二电流阻挡层位于所述导电电极和所述第二掺杂层靠近所述衬底的一侧；所述介质层位于所述第一电流阻挡层、所述第一掺杂层、所述第一电极、所述第二掺杂层、所述第二电极和所述导电电极中的每个与所述栅极之间；所述介质层还覆盖所述导电电极靠近所述衬底的表面，及所述导电电极沿所述第二方向相背的两个侧面； 在所述衬底远离所述栅极的一侧形成第三电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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