深圳平湖实验室夏云获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510934059.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由夏云;陈刚设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括第一区域，以及位于所述第一区域周围的第二区域,所述半导体器件包括衬底、功能层以及漂移层,功能层设于所述衬底之上,漂移层设于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述漂移层的掺杂类型与所述功能层的掺杂类型相同,其中，所述功能层包括第一子功能层及第二子功能层，所述第一子功能层设置于所述第二区域，所述第二子功能层设置于所述第一区域,所述第二子功能层的掺杂浓度大于所述第一子功能层的掺杂浓度。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一区域，以及位于所述第一区域周围的第二区域，所述半导体器件包括： 衬底； 功能层，设于所述衬底之上； 漂移层，设于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述漂移层的掺杂类型与所述功能层的掺杂类型相同； 其中，所述功能层包括第一子功能层及第二子功能层，所述第一子功能层设置于所述第二区域，所述第二子功能层设置于所述第一区域；所述第二子功能层的掺杂浓度大于所述第一子功能层的掺杂浓度； 所述功能层还包括：至少一个第三子功能层，设置于所述第一区域，所述第三子功能层的掺杂浓度小于所述第二子功能层的掺杂浓度；所述功能层包括多个所述第二子功能层，所述第三子功能层至少设于相邻的两个所述第二子功能层之间； 所述半导体器件还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底和所述功能层之间，所述缓冲层的掺杂类型与所述功能层的掺杂类型相同，且所述缓冲层与所述功能层接触。
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