杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977280.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，由漏极、半导体外延层、源极以及栅极组成，其中半导体外延层具体包括有两个P阱层、两个P+层、两个N阱层、N衬底层和N漂移层，所述N漂移层的内部通过离子注入形成有束腰N‑层；所述束腰N‑层由上半区域和下半区域组成，其中该束腰N‑层的截面轮廓呈上下两端粗中间细的形状。本发明通过在N漂移层内部形成截面呈束腰形的梯度掺杂N‑层，优化了电场分布，中间细窄区域增强纵向电场支撑能力，提升击穿电压；两端粗大区域扩展横向导通路径，显著降低比导通电阻，从而同步实现高压耐受和低导通损耗。
本发明授权一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，由漏极1、半导体外延层、源极2以及栅极3组成，其中半导体外延层具体包括有两个P阱层4、两个P+层5、两个N阱层6、N衬底层7和N漂移层8，其特征在于：所述N漂移层8的内部通过离子注入形成有束腰N-层9； 所述束腰N-层9由上半区域和下半区域组成，其中该束腰N-层9的截面轮廓呈上下两端粗中间细的形状； 所述束腰N-层9的上半区域的顶部通过离子注入形成有约束P-层10，该约束P-层10位于两个P阱层4之间。
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