买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510978661.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高迁移率栅氧层的SiCMOSFET器件及其制备工艺，属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；本发明通过优化栅氧层制备工艺，结合器件内部T形P‑层、半椭圆形轻掺杂N型半层等的设计，有效改善了栅氧层与半导体材料的界面质量，减少了界面态对载流子的散射，同时，四分之一圆状侧对称P‑层、方形重掺杂N层等结构的协同作用，优化了器件内部电场分布和载流子传输路径，显著提升了沟道载流子迁移率。

本发明授权一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有高迁移率栅氧层的SiCMOSFET器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2和栅极3；所述半导体外延层包括N衬底层4、N漂移层5、P+层6、N阱层7和P阱层8，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层5中间处设有轻掺杂N层9； 单个所述MOS元胞的内部且位于所述N漂移层5的左侧和右侧均设置有侧对称P-层10，两个所述侧对称P-层10的横截面轮廓均为四分之一圆状，两个所述侧对称P-层10的底端均与所述N衬底层4的上表面接触； 所述轻掺杂N层9的底端通过离子注入形成有重掺杂N层11，所述重掺杂N层11的横截面轮廓均为方形状，所述重掺杂N层11的底端与所述N衬底层4的上表面接触； 所述重掺杂N层11的内部通过离子注入形成有T形P-层12，所述T形P-层12的底端与所述N衬底层4的上表面接触； 所述重掺杂N层11的顶端通过离子注入形成有半椭圆形P-层13，所述半椭圆形P-层13的底端与所述重掺杂N层11的上表面接触； 所述重掺杂N层11的内部且位于所述T形P-层12的两侧均通过离子注入形成有半椭圆形轻掺杂N型半层14； 所述重掺杂N层11的顶端且位于所述半椭圆形P-层13的两侧均通过离子注入形成有三角形重掺杂N型半层15； 所述N衬底层4可采用4H-SiC或6H-SiC的SiC晶型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405(自主分割)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。