杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利多结VCSEL器件及VCSEL芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511027333.8，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权多结VCSEL器件及VCSEL芯片是由请求不公布姓名;陈耿;莫庆伟;祁鲁汉;张杨设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本多结VCSEL器件及VCSEL芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多结VCSEL器件及VCSEL芯片，多结VCSEL器件包括依次设置的衬底、底部反射层、谐振腔和顶部反射层；谐振腔内包括层叠设置的多个有源区和多个光电限制层，至少一有源区与一光电限制层相邻，至少一有源区位于对应一光电限制层与底部反射层之间，相邻光电限制层之间设有至少一有源区，其中，各有源区与各光电限制层之间的排布还满足以下条件：相邻光电限制层之间、底部反射层与靠近底部反射层的光电限制层之间的有源区数量不同。本发明可以提升辐射复合效率，将更多的能量转化为光输出，直接转化为更高的输出功率。
本发明授权多结VCSEL器件及VCSEL芯片在权利要求书中公布了：1.一种多结VCSEL器件，其特征在于，包括依次设置的衬底1、底部反射层2、谐振腔和顶部反射层3； 所述谐振腔内包括层叠设置的多个有源区4和多个光电限制层，至少一所述有源区4与一所述光电限制层相邻，至少一所述有源区4位于对应一所述光电限制层与所述底部反射层2之间，相邻所述光电限制层之间设有至少一所述有源区4，其中，各所述有源区4与各所述光电限制层之间的排布满足以下条件： 相邻所述光电限制层之间、所述底部反射层2与靠近所述底部反射层2的所述光电限制层之间的所述有源区4数量不同，每个所述有源区4均包括多个多量子阱结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区B10-906室-6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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