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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体器件及功率设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547914B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511044728.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件及功率设备是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及功率设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件及功率设备，在4H‑SiC沟道层的碳面000‑1外延生长3C‑SiC载流层，由于4H‑SiC沟道层的自发极化，可以在3C‑SiC载流层和4H‑SiC沟道层的界面处诱导出2DEG，可以实现非常高的2DEG密度。理论计算表明该界面处的2DEG面密度可以达到1.28×1013cm2。基于该物理性质，设计了使用2DEG作为控制沟道的功率器件结构，实现基于3C‑SiC和4H‑SiC异质界面形成的2DEG沟道区以及3C‑SiC表面的肖特基栅电极，实现基于电子导通的耗尽型单极功率器件。通过使用3C‑SiC和4H‑SiC异质界面形成的2DEG的高迁移率，有效降低器件的比导通电阻。

本发明授权一种半导体器件及功率设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一电极； 4H-SiC结构，位于所述第一电极的一侧；所述4H-SiC结构包括：位于所述第一电极和4H-SiC沟道层之间的4H-SiC衬底，位于所述4H-SiC衬底和所述4H-SiC沟道层之间的4H-SiC缓冲层，位于所述4H-SiC缓冲层和所述4H-SiC沟道层之间的4H-SiC漂移层；所述4H-SiC漂移层的[11-20]晶轴和所述4H-SiC衬底表面之间的夹角为0~0.2°； 4H-SiC沟道层，位于所述4H-SiC结构远离所述第一电极的一侧； 栅极埋层，位于所述4H-SiC结构中且与所述4H-SiC沟道层接触； 电流扩散层，位于所述4H-SiC结构中且与所述4H-SiC沟道层接触，所述电流扩散层将所述栅极埋层沿水平方向隔断，所述水平方向为所述栅极埋层和所述电流扩散层的排列方向； 3C-SiC载流层，位于所述4H-SiC沟道层远离所述第一电极的一侧；所述3C-SiC载流层和所述4H-SiC沟道层的界面处诱导出二维电子气或二维空穴气； 栅电极，位于所述3C-SiC载流层远离所述第一电极的一侧，所述栅电极在所述第一电极上的正投影覆盖所述电流扩散层在所述第一电极上的正投影；所述栅电极与所述3C-SiC载流层为肖特基接触； 第二电极，位于所述3C-SiC载流层远离所述第一电极的一侧，所述第二电极贯穿所述3C-SiC载流层和4H-SiC沟道层与所述栅极埋层电连接。

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