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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511099937.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件是由吴玉舟;禹樾设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，包括：第一半导体本体，包括导电类型不同且位于第一表面的第一欧姆接触区和第二欧姆接触区，和与第二欧姆接触区导电类型相同且位于第一欧姆接触区和第二欧姆接触区靠近第二表面一侧的埋层；第二半导体本体，位于第一表面上，包括第一半导体层、第三半导体层和与二者导电类型不同且位于二者之间的第二半导体层；第一电极，与第一欧姆接触区以及第三半导体层电连接；第一栅极，与第二欧姆接触区以及第一半导体层电连接；第二栅极，与第二半导体层电连接；第一阻性材料层，与第二栅极以及第三半导体层接触；第二阻性材料层，与第二栅极以及第一半导体层接触。本发明改善了密勒电容充放电造成的器件短路问题。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括至少一个元胞结构，所述元胞结构包括： 第一半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一半导体本体包括导电类型不同的第一欧姆接触区和第二欧姆接触区，均位于所述第一表面；所述第一半导体本体还包括埋层，位于所述第一欧姆接触区和所述第二欧姆接触区靠近所述第二表面的一侧；其中，所述埋层与所述第二欧姆接触区的导电类型相同； 第二半导体本体，位于所述第一半导体本体的第一表面；所述第二半导体本体包括第一半导体层、第三半导体层和位于所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第三半导体层均与所述第二欧姆接触区的导电类型相同；所述第二半导体层与所述第一欧姆接触区的导电类型相同； 第一电极和第一栅极；所述第一电极与所述第一欧姆接触区以及所述第三半导体层电连接，所述第一栅极与所述第二欧姆接触区以及所述第一半导体层电连接； 第一阻性材料层、第二阻性材料层和第二栅极；所述第二栅极位于所述第一阻性材料层和所述第二阻性材料层之间；其中，所述第二栅极与所述第二半导体层电连接；所述第一阻性材料层与所述第二栅极以及所述第三半导体层接触，所述第二阻性材料层与所述第二栅极以及所述第一半导体层接触。

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