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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511099940.5，技术领域涉及：H10D84/84；该发明授权一种功率半导体器件是由吴玉舟;禹樾设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件，包括：第一半导体本体，用于形成耗尽型晶体管；第二半导体本体，位于第一半导体本体的第一表面；第二半导体本体用于形成增强型晶体管，且与耗尽型晶体管串联连接；禁带宽度低于第二半导体本体的第三半导体本体，位于第二半导体本体远离第一半导体本体的一侧；第三半导体本体包括第一半导体层、第三半导体层和与二者导电类型不同且位于二者之间的第二半导体层，第一半导体层用于作为增强型晶体管的栅极；第一电极，与第二半导体本体、第一半导体本体以及第三半导体层电连接；第二电极，位于第二表面。本发明提供的技术方案，通过集成多晶硅NPN结构，实现器件被动过温关断能力，提高了器件的鲁棒性。

本发明授权一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括至少一个元胞结构，所述元胞结构包括： 第一半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一半导体本体用于形成耗尽型晶体管； 第二半导体本体，位于所述第一半导体本体的第一表面；所述第二半导体本体用于形成增强型晶体管，所述第一半导体本体形成的耗尽型晶体管与所述第二半导体本体形成的增强型晶体管串联连接；其中，所述第一半导体本体的材料与所述第二半导体本体的材料不同； 第三半导体本体，位于所述第二半导体本体远离所述第一半导体本体的一侧，且与所述第二半导体本体电隔离；所述第三半导体本体的材料的禁带宽度低于所述第二半导体本体的材料的禁带宽度；其中，所述第三半导体本体包括第一半导体层、第三半导体层和位于所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层的导电类型不相同且所述第二半导体层与所述第三半导体层的导电类型不相同，所述第一半导体层用于作为所述增强型晶体管的栅极； 第一电极，与所述第二半导体本体、所述第一半导体本体以及所述第三半导体层电连接； 第二电极，位于所述第二表面。

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