苏州大学苏晓东获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511107643.0，技术领域涉及：H10F10/164；该发明授权一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法是由苏晓东;林闻镪;邹帅;芦政;代龙飞设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法。该电池包括背面结构和正面结构，背面结构包括电极层，正面结构包括单晶硅基底和与单晶硅基底接触的宽禁带半导体膜层，宽禁带半导体膜层和单晶硅基底形成异质结；宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为20nm‑100nm，能够在紫外波段吸收光子并产生光生载流子，光生载流子能够经由异质结注入单晶硅基底，并最终输运至电极层参与光电转换。本发明方案提升了TOPCon背接触太阳能电池的紫外稳定性与转换效率。
本发明授权一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低紫外衰减TOPCon背接触太阳能电池，其特征在于，包括背面结构和正面结构，所述背面结构包括电极层，所述正面结构包括单晶硅基底和与所述单晶硅基底接触的宽禁带半导体膜层，所述宽禁带半导体膜层和所述单晶硅基底形成异质结； 所述宽禁带半导体膜层的带隙宽度大于3eV且厚度为20nm-100nm，能够在紫外波段吸收光子并产生光生载流子，所述光生载流子能够经由所述异质结注入所述单晶硅基底，并最终输运至所述电极层参与光电转换； 所述宽禁带半导体膜层为由一种或多种宽带隙半导体材料组成的多层复合结构，所述多层复合结构中相邻层之间的导带台阶绝对值变化小于或等于0.2eV。
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