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龙图腾网获悉北京炎黄国芯科技有限公司申请的专利电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120658076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511152161.7，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法及系统是由李建伟;王惠东;王才宝;李小兵设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法及系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法及系统。其中，该方法通过红外热像技术采集电源管理芯片在开关切换瞬态工况下的温度数据，同步获取封装层表面及内部结温的三维温度场分布；基于温度场的空间连续性，提取功率器件区域的温度变化特征，并利用嵌入在热点区域的热电材料将温度梯度转化为塞贝克电压，构建动态热电反馈网络；根据塞贝克电压数据建立热载流子浓度与驱动信号相位偏移的耦合关系，量化热载流子迁移率变化对MOSFET开关延迟的扰动；基于该耦合关系调整栅极电压的上升下降沿斜率，通过动态补偿消除热载流子效应导致的相位偏差，优化开关性能。本申请提升电源管理芯片的动态响应精度。

本发明授权电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电源管理芯片高低边驱动信号时序优化方法，其特征在于，包括： 采集电源管理芯片在开关切换瞬态工况下的红外热像数据，同步获取芯片封装层表面与内部结温的三维温度场分布； 基于所述三维温度场分布的空间连续性，提取芯片功率器件区域的温度变化特征； 通过嵌入在所述芯片封装层特定热点区域的热电材料，将所述温度变化特征中的温度梯度转化为空间离散的塞贝克电压分布，以构建动态热电反馈网络； 基于所述动态热电反馈网络生成的塞贝克电压分布数据，建立热载流子浓度动态响应与驱动信号相位偏移的耦合响应关系，以量化热载流子迁移率非线性涨落对高低边MOSFET器件开关延迟的时变扰动； 根据所述耦合响应关系输出的时变扰动参数，重构高低边MOSFET器件栅极电压的上升沿斜率与下降沿斜率； 通过匹配所述上升沿斜率与下降沿斜率的动态补偿参数，在开关切换周期内补偿热载流子浓度引起的驱动信号相位偏差； 其中，通过匹配所述上升沿斜率与下降沿斜率的动态补偿参数，在开关切换周期内补偿热载流子浓度引起的驱动信号相位偏差，包括： 在开关周期开始时，监测当前周期内所述动态热电反馈网络生成的总线电压波形的峰值时序，并根据所述总线电压波形的峰值时序从所述耦合响应关系建立的对应关系表中调取动态补偿参数，所述动态补偿参数包括上升沿斜率补偿系数和下降沿斜率补偿系数； 将所述上升沿斜率补偿系数乘以所述重构后的加速上升段的正向电压变化率，得到补偿后的上升沿执行参数，同理将所述下降沿斜率补偿系数乘以所述重构后的加速下降段的负向电压变化率，得到补偿后的下降沿执行参数； 在当前开关周期的所述上升沿时间窗口内，按照所述补偿后的上升沿执行参数控制驱动电路输出正向电压变化率，同理在所述下降沿时间窗口内，按照所述补偿后的下降沿执行参数控制驱动电路输出负向电压变化率； 其中，基于所述动态热电反馈网络生成的塞贝克电压分布数据，建立热载流子浓度动态响应与驱动信号相位偏移的耦合响应关系，以量化热载流子迁移率非线性涨落对高低边MOSFET器件开关延迟的时变扰动，包括： 在开关切换瞬态过程中同步采集所述热电反馈网络的总线电压波形和栅极驱动信号波形，将总线电压波形的峰值时序与栅极驱动信号的上升沿下降沿转折点进行时序偏差测量；建立总线电压变化率与栅极驱动信号时序偏差量的对应关系表，通过所述对应关系表将离散电压分布数据转换为驱动信号相位偏移量；根据所述相位偏移量随开关周期数的累积效应计算热载流子迁移率扰动参数。

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