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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利一种隧穿场效应晶体管的制备方法及隧穿场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511211166.2，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种隧穿场效应晶体管的制备方法及隧穿场效应晶体管是由李仕龙;王兆伟;唐先胜;韩丽丽;王舒蒙;宫卫华设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隧穿场效应晶体管的制备方法及隧穿场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种隧穿场效应晶体管的制备方法及隧穿场效应晶体管，涉及晶体管制备技术领域。制备方法包括：在衬底上图案化沉积第一低维半导体材料薄膜；沉积第一硬掩膜薄膜；在第一硬掩膜薄膜表面旋涂光刻胶，经曝光显影去除预设图案区域内的第一硬掩膜薄膜；沉积第二低维半导体材料薄膜及第二硬掩膜薄膜，使预设图案区域外的第二低维半导体材料薄膜上下两面被第二硬掩膜薄膜和第一硬掩膜薄膜包覆形成夹层结构；将器件置于溶液中，在溶液和水浴超声作用下只保留预设图案区域内的第二低维半导体材料薄膜，获得隧穿场效应晶体管。上述方法能精确控制隧穿场效应晶体管的形貌与尺寸，保证图案完整性和边缘整齐性，提高电学性能的稳定性与可重复性。

本发明授权一种隧穿场效应晶体管的制备方法及隧穿场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于， 在衬底上图案化沉积第一低维半导体材料薄膜5； 在所述衬底上图案化沉积第二低维半导体材料薄膜6，使所述第二低维半导体材料薄膜6与所述第一低维半导体材料薄膜5部分重叠，形成异质结构，所述在所述衬底上图案化沉积第二低维半导体材料薄膜6，包括： 在所述衬底上完整沉积第一硬掩膜薄膜9； 在所述第一硬掩膜薄膜9表面旋涂光刻胶7，通过曝光、显影操作，去除预设图案区域以内的所述第一硬掩膜薄膜9，保留所述预设图案区域以外的所述第一硬掩膜薄膜9；其中，所述预设图案区域表示沉积第二低维半导体材料薄膜6所需的区域； 在所述衬底上完整沉积所述第二低维半导体材料薄膜6，并进行退火处理；其中，所述第二低维半导体材料薄膜6的材料与所述第一低维半导体材料薄膜5的材料不同； 在所述第二低维半导体材料薄膜6上完整沉积第二硬掩膜薄膜10，使所述预设图案区域以外的所述第二低维半导体材料薄膜6上下两面被所述第二硬掩膜薄膜10和所述第一硬掩膜薄膜9包覆，形成夹层结构，得到第一器件；其中，所述第一硬掩膜薄膜9和所述第二硬掩膜薄膜10为易溶于酸碱溶液的两性金属或氧化物薄膜； 将所述第一器件置于碱性溶液或酸性溶液中，进行辅助水浴超声处理，去除所述第二硬掩膜薄膜10，以及被所述第一硬掩膜薄膜9和所述第二硬掩膜薄膜10形成的夹层结构包覆的所述第二低维半导体材料薄膜6，保留所述预设图案区域以内的所述第二低维半导体材料薄膜6，得到第二器件； 对所述第二器件进行退火处理，获得隧穿场效应晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东省科学院激光研究所，其通讯地址为：272073 山东省济宁市高新区海川路46号激光所综合楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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