广东芯粤能半导体有限公司朱普磊获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511150899.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱普磊;杨宗鹏;郭东恺;张荣荣设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；于半导体衬底上方形成漂移区；于漂移区中同步形成第一沟槽及第二沟槽，其中，第二沟槽在第一方向上位于第二沟槽两侧，且第一沟槽的开口宽度大于第二沟槽的开口宽度，第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度；基于第二沟槽，于第二沟槽的侧壁及底部的外侧形成第二导电类型的屏蔽层；形成填充第一沟槽的沟槽栅结构以及覆盖沟槽栅结构上方的层间介质层；形成填充第二沟槽并覆盖层间介质层的第一金属层。本申请的半导体结构及其制备方法显著降低了工艺复杂度与成本，提升了制造效率和良率，有效减小了沟槽栅结构转角处的电场集中效应，显著提升了器件耐压性能和可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一导电类型的半导体衬底； 于所述半导体衬底上方形成漂移区； 于所述漂移区中同步形成第一沟槽及第二沟槽，其中，所述第二沟槽在第一方向上位于所述第一沟槽两侧，且所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽的开口宽度，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度； 基于所述第二沟槽，于所述第二沟槽的侧壁及底部的外侧形成第二导电类型的屏蔽层； 形成填充所述第一沟槽的沟槽栅结构以及覆盖所述沟槽栅结构上方的层间介质层； 形成填充所述第二沟槽并覆盖所述层间介质层的第一金属层。
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