南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司王光绪获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511213880.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法是由王光绪;张权;吴小明;何云娟设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法，通过在基板上依次设置的键合层、导热层、阻挡层、保护层、反射层以及外延层，外延层包括朝远离所述基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱层以及n型GaN层，其中，阻挡层与导热层实现保护层与键合层之间的电隔离，阻挡层实现阻挡磷酸腐蚀，导热层实现多量子阱层的侧壁钝化与导热效果，缓释应力通过第一应力释放沟槽与第二应力释放沟槽实现。
本发明授权一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善散热与缓释应力的LED芯片，其特征在于，该LED芯片为硅基InGaN长波长LED芯片，外延层生长衬底为硅衬底，发光主波长范围为500nm~620nm，包括基板以及依次设置在所述基板上的键合层、导热层、阻挡层、保护层、反射层以及外延层，所述外延层包括朝远离所述基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱层以及n型GaN层，所述外延层表面和部分所述阻挡层上设置钝化层； 所述导热层、所述阻挡层以及保护层呈台阶状结构，且逐层包裹，其中，所述导热层朝所述n型GaN层方向延伸，形成嵌设于所述外延层中的容纳空间，所述容纳空间中设置n电极，所述n电极与所述n型GaN层接触； 所述外延层的侧面设置有由所述钝化层和所述保护层形成的凹槽，所述凹槽内设置p电极； 在制备过程中，通过蚀刻所述外延层得到的第一应力缓释沟槽，以及刻蚀所述导热层形成的第二应力缓释沟槽，以缓释应力。
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