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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120761926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511281326.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器及其制备方法和应用是由胡亮;莫怡婷;成明亮;姬靖宇;黄一君;刘益兵;卢晨曦;余森江;张雪峰设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器及其制备方法和应用，其制备方法包括：在绝缘基片上设置两个相互不导通的电极，获取层状铁镓碲材料，将所述层状铁镓碲材料转移到绝缘基片上，使至少一片所述层状铁镓碲材料，同时覆盖住两个所述电极，使用四丁基铵阳离子或氧等离子体对所述产物一的层状铁镓碲材料进行插层反应，将所述产物一的层状铁镓碲材料转化为插层后的层状铁镓碲材料；进行真空退火，得到所述磁场传感器。本发明的传感器利用电极之间的极化光电流，来反映磁场强度，能实现宽范围、高精度的磁场检测。

本发明授权基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.基于室温二维磁性半导体材料的磁场传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1在绝缘基片上设置两个相互不导通的电极，获取层状铁镓碲材料，将所述层状铁镓碲材料转移到绝缘基片上，使至少一片所述层状铁镓碲材料，同时覆盖住两个所述电极，得到产物一，所述产物一的结构从下到上依次包括绝缘基片、两个相互不导通的电极和层状铁镓碲材料； S2使用四丁基铵阳离子或氧等离子体对所述产物一的层状铁镓碲材料进行插层反应，使有机阳离子或氧离子插入到二维Fe3GaTe2薄片层间，在保持其室温磁性的同时，实现金属态向半导体态的转化； 将所述产物一的层状铁镓碲材料转化为插层后的层状铁镓碲材料，得到产物二； S3将产物二进行真空退火，得到所述磁场传感器； 所述使用四丁基铵阳离子对所述产物一的层状铁镓碲材料进行插层反应，具体包括：将四丁基乙酸铵粉末溶解至N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，配制浓度为10mgmL的电解液待用；将电解液滴涂在所述产物一的层状铁镓碲材料上，在扫描电压范围在-5~5V的条件下，进行电化学插层反应，插层时间为30~3600秒，之后，去除残留的电解液，得到四丁基乙酸铵插层后的铁镓碲a-FGaT。

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