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龙图腾网获悉南通铧越半导体科技有限公司申请的专利一种单片式半导体快速退火系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511242253.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种单片式半导体快速退火系统是由姚尚兵设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片式半导体快速退火系统在说明书摘要公布了：本发明适用于半导体退火技术领域，提供了一种单片式半导体快速退火系统，包括氧化模块，所述氧化模块根据未加工硅片体积注入氧气，氧气与硅片反应进行高温氧化，生成氧化硅，输出一次加工硅片；退火模块，所述退火模块接收一次加工硅片，根据未加工硅片体积注入氮气，对退火模块整体进行快速升温，升至反应温度停止升温，维持当前温度，完成退火过程，输出二次加工硅片；转移模块，所述转移模块接收退火模块传输的二次加工硅片，并将二次加工硅片进行转移；打磨模块，所述打磨模块包括滑动组件。该装置解决了硅片在氮化退火过程中易产生缺陷的问题，达到了通过先进行氧化步骤，生成氧化硅，保护硅片不与高温氮气直接接触，避免生成缺陷的目的。

本发明授权一种单片式半导体快速退火系统在权利要求书中公布了：1.一种单片式半导体快速退火系统，其特征在于，包括： 加工室，所述加工室包括加热组件、真空组件； 氧化模块，所述氧化模块设置于加工室内部，所述氧化模块包括注氧组件，所述注氧组件根据未加工硅片体积注入氧气，并通过氧气与硅片反应进行高温氧化，生成氧化硅，输出一次加工硅片； 退火模块，所述退火模块设置于加工室内，所述退火模块包括注氮组件，所述退火模块用于接收一次加工硅片，注氮组件根据未加工硅片体积注入氮气，通过加热组件对退火模块整体进行升温，升至反应温度停止升温，维持当前温度，完成退火过程，输出二次加工硅片； 转移模块，所述转移模块用于接收退火模块传输的二次加工硅片，并将二次加工硅片进行转移； 至少一组打磨模块，所述打磨模块包括滑动组件1，所述滑动组件1上滑动连接有两组打磨组件2，两组所述打磨组件2相向设置，所述打磨模块用于接收转移模块传输的二次加工硅片，通过打磨剥离硅片表面的氧化层，生成加工完成的硅片，输出加工完成的硅片至转移模块； 所述打磨组件2包括滑动连接于滑动组件1上的滑动块21，所述滑动块21远离滑动组件1一端安装有打磨主体22，所述打磨主体22底部连接有驱动模块23，所述打磨主体22远离滑动块21一端连接有驱动伸缩杆24，所述驱动伸缩杆24顶端连接有打磨盘25； 存储模块，所述存储模块接收加工完成的硅片，对加工完成的硅片进行存储，维持加工完成的硅片性状。

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