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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511279273.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构是由胥沛雯;王士京;王兆祥;梁洁;吴倩;仲凯设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构，方法依次包括：提供一侧表面上具有高深宽比刻蚀结构的衬底，高深宽比刻蚀结构的侧壁具有88度～90度的第一倾斜角；对侧壁的顶部进行第一处理，形成倒角；对侧壁进行第二处理，使倒角的形貌圆滑化，和使侧壁光滑化；对侧壁进行第三处理，使侧壁同向倾斜至具有84度～87度的第二倾斜角；第一压力、第二压力和第三压力依次增大，以使处理后的侧壁具有自顶部至底部向内侧倾斜弯曲的喇叭形形貌。本申请能解决现有设计存在的填充不完全、散热性能差、电气连接不稳定等问题，满足了高性能器件对电气连接和散热等方面的需求。

本发明授权一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法，其特征在于，依次包括： a提供一侧表面上具有高深宽比刻蚀结构的衬底；所述高深宽比刻蚀结构的侧壁具有88度～90度的第一倾斜角； b使用第一工艺气体和第一压力，对所述侧壁的顶部进行第一处理，形成倒角，使所述高深宽比刻蚀结构的顶部宽度由第一宽度扩大至第二宽度； c使用第二工艺气体和第二压力，对所述侧壁进行第二处理，使所述倒角的形貌圆滑化，和使所述侧壁光滑化； d使用第三工艺气体和第三压力，对所述侧壁进行第三处理，使所述侧壁同向倾斜至具有84度～87度的第二倾斜角，并使所述高深宽比刻蚀结构的顶部宽度由所述第二宽度扩大至第三宽度； 其中，所述第一工艺气体包括氧化性气体，所述第二工艺气体包括氧化性气体和碳氟类气体，所述第三工艺气体包括硫氟类气体和碳氟类气体，所述第一压力、所述第二压力和所述第三压力依次增大，以使处理后的所述侧壁具有自顶部至底部向内侧倾斜弯曲的喇叭形形貌。

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