广州天赐高新材料股份有限公司林莹获国家专利权
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龙图腾网获悉广州天赐高新材料股份有限公司申请的专利一种硫化物固态电解质及其制备方法、电池与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511281536.X，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种硫化物固态电解质及其制备方法、电池与应用是由林莹;沙一凡;范伟贞;韩强;史利涛设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硫化物固态电解质及其制备方法、电池与应用在说明书摘要公布了：本申请涉及电化学技术领域，提供了一种硫化物固态电解质及其制备方法、电池与应用。本申请的硫化物固态电解质，其化学式为Li7‑aPS6‑aXa，X为卤素，1≤a≤2；其中，硫化物固态电解质的111晶面对应的衍射峰的峰面积为I1，硫化物固态电解质的311晶面对应的衍射峰的峰面积为I2，0.2≤I1I2≤0.3。本申请的硫化物固态电解质的I1I2在上述范围内，能够提供良好的晶体结构和较大的界面面积，促进离子移动，从而得到较高的离子电导率。进一步地，本申请的方法通过减少溶剂用量和优化烧结步骤，确保了产品的高离子电导率，同时显著降低了环境污染、能耗和生产成本。
本发明授权一种硫化物固态电解质及其制备方法、电池与应用在权利要求书中公布了：1.一种硫化物固态电解质，其特征在于，所述硫化物固态电解质的化学式为Li7-aPS6-aXa，X为卤素，1≤a≤2；其中，所述硫化物固态电解质的111晶面对应的衍射峰的峰面积为I1，所述硫化物固态电解质的311晶面对应的衍射峰的峰面积为I2，I1和I2满足：0.2≤I1I2≤0.3。
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